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IS43TR16128C-107MBLI-TR 发布时间 时间:2025/8/1 21:57:46 查看 阅读:22

IS43TR16128C-107MBLI-TR 是由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的一款高性能、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于同步动态RAM(SDRAM)类别。该芯片的存储容量为256MB,组织形式为16位 x 128M,适用于需要大容量内存和高速数据处理的应用场景。该芯片采用小型TSOP封装,适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C),适合在苛刻环境中使用。

参数

类型:DRAM
  存储容量:256MB
  组织结构:16位 x 128M
  电压范围:1.7V至3.6V(宽电压支持)
  最大时钟频率:166MHz
  访问时间:5.4ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  接口标准:LVTTL
  数据速率:166MHz

特性

IS43TR16128C-107MBLI-TR 是一款具备多种高性能特性的SDRAM芯片,支持高速数据访问和低功耗操作。该芯片采用了先进的CMOS制造工艺,能够在高速运行的同时保持较低的功耗。其宽电压范围(1.7V至3.6V)使其适用于多种电源设计环境,提高了兼容性。此外,该芯片支持同步操作,允许与系统时钟同步进行数据读写,从而提高系统整体的效率和稳定性。
  这款芯片的TSOP封装形式不仅体积小巧,还具有良好的散热性能和电气特性,适用于高密度PCB布局。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)使其能够在各种严苛的工业环境和户外设备中稳定运行,确保系统在极端温度下的可靠性。
  IS43TR1616128C-107MBLI-TR 还具备自动刷新和自刷新功能,能够在系统待机或低功耗模式下保持数据完整性,同时减少外部控制器的负担。这些特性使得该芯片在嵌入式系统、工业控制、网络设备、通信模块和消费类电子产品中都具有广泛的应用前景。

应用

IS43TR16128C-107MBLI-TR 主要应用于需要中等容量、高速DRAM的嵌入式系统和工业设备。典型应用包括网络路由器和交换机、工业控制设备、数据采集系统、视频监控设备、医疗仪器以及高性能消费类电子产品(如智能电视和机顶盒)。由于其宽电压支持和工业级温度特性,该芯片也适用于需要长期稳定运行的自动化控制系统和远程通信设备。

替代型号

IS42S16128C-107MBLI-TR
  IS43TR16256A-107MBLI-TR
  IS48C16512A-107BLLI-TR

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IS43TR16128C-107MBLI-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间195 ps
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-TWBGA(9x13)