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STS17NF3LL 发布时间 时间:2025/6/4 0:34:22 查看 阅读:6

STS17NF3LL 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该器件采用TOLL封装,具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于多种功率转换和开关应用。它主要应用于电源管理、电机驱动、负载开关以及其他需要高效能开关的场景。
  这款MOSFET在设计上注重提升效率和减少功率损耗,同时提供良好的热性能和电气特性。

参数

型号:STS17NF3LL
  类型:N沟道增强型MOSFET
  VDS(漏源电压):30V
  RDS(on)(导通电阻,典型值):1.6mΩ
  ID(持续漏极电流):154A
  Qg(总栅极电荷):72nC
  EAS(雪崩能量):11.5mJ
  封装:TOLL
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

STS17NF3LL 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻 (RDS(on)),能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 高电流承载能力,使其非常适合用于大功率应用场景。
  3. 良好的热性能,有助于改善器件在高温环境下的稳定性和可靠性。
  4. 小巧的 TOLL 封装,便于在紧凑型设计中使用。
  5. 较高的雪崩能量等级,增强了器件的鲁棒性,适合严苛的工作条件。
  6. 广泛的工作温度范围,确保其在极端环境下的可靠运行。

应用

STS17NF3LL 的典型应用领域包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
  2. 直流-直流转换器中的功率级开关。
  3. 电机驱动电路中的功率开关。
  4. 各种负载开关应用,例如服务器、通信设备和工业自动化系统。
  5. 电池保护和管理系统中的高效率开关元件。
  6. 汽车电子中的功率控制和驱动应用。

替代型号

STM17NF3LL
  IPW17N03L
  FDP18N03L

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STS17NF3LL参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.5 毫欧 @ 8.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs35nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2160pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称497-3224-2