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IS43R86400E-5BL 发布时间 时间:2025/12/28 17:38:44 查看 阅读:24

IS43R86400E-5BL是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速、低功耗的DRAM芯片,属于同步动态随机存取存储器(SDRAM)类别。该器件广泛用于需要大容量缓存和高速数据存取的系统中,例如网络设备、工业控制、通信设备以及嵌入式系统。IS43R86400E-5BL采用CMOS工艺制造,具备高集成度和稳定性,适用于多种工业标准应用场景。

参数

容量:64Mbit
  组织方式:4M x 16
  电源电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  时钟频率:166MHz
  访问时间:5.4ns
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)

特性

IS43R86400E-5BL具备出色的性能和稳定性。该芯片的同步设计允许其与时钟信号同步操作,从而提高数据传输效率和系统稳定性。其高速特性使得访问时间仅为5.4ns,支持高达166MHz的工作频率,适用于对实时性要求较高的系统。
  该芯片采用低功耗CMOS技术,有助于在高频率运行下保持较低的功耗水平,适合对功耗敏感的设计。此外,IS43R86400E-5BL的工作温度范围为-40°C至+85°C,满足工业级环境下的稳定运行需求,适用于户外设备或严苛工业环境。
  在封装方面,TSOP(薄型小外形封装)提供了良好的散热性能和空间利用率,适合紧凑型电路设计。此外,该芯片的电气特性符合JEDEC标准,兼容多种控制器和系统架构。

应用

IS43R86400E-5BL广泛应用于各种需要高速缓存存储器的电子系统中。例如,在网络设备中,它可用于缓存路由表或处理高速数据包;在通信设备中,该芯片可用于支持高速信号处理和数据缓冲;在嵌入式系统中,如工业控制、自动化设备或视频处理系统,该芯片能够提供高效的数据存储和访问能力。
  此外,IS43R86400E-5BL还可用于测试测量设备、医疗成像设备以及其他高性能嵌入式系统中,确保系统运行的稳定性和高效性。由于其工业级温度范围和可靠的性能,该芯片也适用于户外和恶劣环境中的应用。

替代型号

IS43R86400C-5BL, IS42S16400F-5BL, MT48LC16M2A2B4-5A

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IS43R86400E-5BL参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织64M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率200 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间700 ps
  • 电压 - 供电2.3V ~ 2.7V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳60-TFBGA
  • 供应商器件封装60-TFBGA(8x13)