时间：2025/12/28 15:48:33
阅读：11
KHB2DON60F是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率应用。该器件由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产，采用先进的沟槽技术，提供优异的导通和开关性能。其高耐压和低导通电阻特性使其在电源转换、电机控制和工业自动化应用中表现出色。
类型：功率MOSFET
最大漏极电流（ID）：180A
最大漏极-源极电压（VDS）：600V
导通电阻（RDS(on)）：28mΩ
栅极电荷（Qg）：90nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
KHB2DON60F具有非常低的导通电阻，这使得它在高电流条件下能够减少功率损耗并提高效率。其高耐压能力使其适用于高达600V的应用环境。此外，该器件具有较低的开关损耗，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、逆变器和电机驱动器。其热稳定性优异，能够在高功率密度条件下保持良好的散热性能，从而提高系统的可靠性和寿命。该MOSFET还具有良好的短路耐受能力，确保在异常工作条件下不会轻易损坏。此外，其封装设计便于安装和散热，适用于各种工业和汽车应用。
KHB2DON60F广泛应用于电力电子系统中，如工业电源、电机驱动器、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、UPS（不间断电源）以及DC-DC转换器等。其高耐压和低导通电阻特性使其成为高性能功率转换和控制系统的理想选择。此外，它也适用于需要高可靠性和高效率的汽车电子系统，如车载充电器和动力总成控制系统。
IKW180N60FN5、KHB2DON60F5、KHB2DON60F5XKSA1、KHB2DON60FD
