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IS43R32800D-5BLI 发布时间 时间:2025/12/28 17:18:49 查看 阅读:33

IS43R32800D-5BLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)制造的高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于异步DRAM系列,具有较大的存储容量和较快的访问速度。该芯片广泛用于需要高性能和大容量内存的电子设备中。

参数

容量:256 Mbit
  组织方式:32M x 8
  工作电压:3.3V
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  访问时间:5.4ns(最大)
  封装尺寸:54-pin TSOP
  工作模式:异步模式
  数据宽度:8位
  刷新方式:自动刷新/自刷新

特性

IS43R32800D-5BLI 是一款高性能的异步DRAM芯片,具备低功耗、高速访问和高可靠性的特点。其异步模式允许数据在没有时钟同步的情况下进行传输,提高了系统的灵活性。该芯片支持自动刷新和自刷新两种刷新模式,以确保数据的稳定性并降低功耗。其TSOP封装形式不仅减小了PCB空间占用,还提高了抗干扰能力,适用于各种工业和通信设备。
  该芯片的访问时间仅为5.4ns,具备较高的数据吞吐能力,适用于对速度要求较高的应用环境。其3.3V的供电电压降低了功耗,同时保持了良好的电气性能。此外,IS43R32800D-5BLI的工作温度范围覆盖工业级标准(-40°C至+85°C),使其在各种恶劣环境下仍能稳定运行。

应用

IS43R32800D-5BLI 常用于需要大容量高速内存的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络设备、图形处理单元(GPU)缓存、视频处理设备以及高端消费类电子产品中。由于其高速访问和低功耗的特性,该芯片在图像处理、数据缓存、网络传输等应用场景中表现出色。

替代型号

IS46R32800D-5B

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IS43R32800D-5BLI产品

IS43R32800D-5BLI参数

  • 制造商ISSI
  • 数据总线宽度16 bit
  • 组织16 Mbit x 16
  • 封装 / 箱体BGA-144
  • 存储容量256 Mbit
  • 最大时钟频率200 MHz
  • 访问时间5 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min1.65 V
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 封装Tray
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量189