类型：GaN HEMT 射频晶体管
　　漏极电流（ID）：18 A（最大值）
　　漏极-源极电压（VDS）：100 V（最大值）
　　频率范围：典型工作频率可达 4 GHz
　　输出功率：在 2.7 GHz 下可达 147 W
　　增益：典型值为 20 dB（在 2.7 GHz）
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

QM18147TR13 拥有出色的功率处理能力，使其成为高功率射频放大器的理想选择。其 GaN 技术提供了比传统 LDMOS 晶体管更高的效率和更大的功率密度，从而减小了整体系统的尺寸和重量。该器件的高工作电压（100 V）允许在高压应用中使用，提高了设计的灵活性。此外，它具有优异的热管理能力，能够在高温环境下稳定运行，增强了产品的可靠性。
　　这款晶体管的封装设计优化了射频性能，降低了寄生效应，提高了高频工作时的稳定性。其宽频带特性使其适用于多频段或宽带放大器设计。此外，QM18147TR13 在脉冲模式和连续波（CW）模式下均可稳定工作，适应多种调制方式的应用需求，如通信系统、雷达、测试设备等。

QM18147TR13 主要用于需要高功率和高效率的射频放大器设计中，适用于无线通信基础设施（如基站、微波回传）、雷达系统、电子战设备、工业加热和等离子体生成设备、测试与测量仪器等。由于其优异的宽带性能，它也适合用于多频段或多标准基站放大器，支持 4G/5G 网络部署。此外，在国防和航空航天领域，该器件可用于战术通信系统、相控阵雷达和高能微波系统等应用。

QM18147TR13 的替代型号包括 Qorvo 的 QM18147TR13F 和 Cree/Wolfspeed 的 CGH40140M，这些型号在功率输出、频率范围和封装形式上具有相似的性能指标，可根据具体设计需求进行选型。