IS43R16160F-6BL 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)制造的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件是一款16位宽、低功耗的异步SRAM,容量为256K x 16位,适用于需要高速数据存取和可靠性能的嵌入式系统、工业控制和通信设备等应用。
类型:静态RAM(SRAM)
容量:256K x 16位
电压:3.3V
访问时间:5.4ns(最大)
封装类型:TSOP
引脚数:54
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
接口:异步
数据总线宽度:16位
IS43R16160F-6BL 提供高速访问性能,访问时间低至5.4ns,支持快速数据读取和写入操作,适用于对时序要求较高的系统设计。该SRAM芯片采用低功耗CMOS工艺制造,在保证高性能的同时实现较低的功耗,适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。此外,其工作温度范围覆盖工业级标准(-40°C至+85°C),确保在严苛环境下的稳定运行。
该芯片的异步接口设计使其能够与多种微控制器、FPGA和嵌入式处理器兼容,无需复杂的时钟同步机制即可实现高效的数据传输。TSOP封装形式不仅减小了PCB空间占用,还提高了抗干扰能力和散热性能,适合高密度电路板布局。IS43R16160F-6BL 的高可靠性和稳定性使其成为工业自动化、网络设备、测试仪器和汽车电子等领域的理想选择。
IS43R16160F-6BL 主要应用于需要高速存储和低延迟访问的场合,如嵌入式系统的外部缓存、FPGA或CPLD的高速数据存储、工业控制器的运行内存、网络和通信设备的数据缓冲、测试测量仪器的临时存储单元,以及汽车电子中的数据处理模块。
IS42S16160F-6BL、CY62167E、AS6C1008-55PCN、IS43R16400F-6BL