V07P60P 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)推出的功率MOSFET晶体管,主要用于高功率和高效率的应用。该器件采用了先进的沟道MOSFET技术,具备良好的导通特性和低开关损耗,适用于电源转换、电机控制和工业自动化等场景。V07P60P 的封装形式通常为TO-220或D2PAK,便于安装和散热管理。
类型:N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds):600V
漏极电流(Id):7A(连续)
栅极-源极电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):1.3Ω(最大值)
功率耗散(Ptot):50W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-220 / D2PAK
V07P60P 具有优异的导通性能和低导通电阻,这使得它在高功率应用中能够有效降低功耗并提高整体系统效率。此外,该MOSFET具备较高的热稳定性,能够在高温环境下保持稳定的性能。其栅极驱动设计优化,使得开关过程中的损耗降低,从而进一步提升效率。
该器件的耐压能力较强,漏极-源极之间的最大电压可达600V,适用于中高功率的开关电源和工业控制设备。同时,V07P60P 的封装设计提供了良好的散热性能,有助于延长器件的使用寿命。
此外,V07P60P 还具备较强的抗干扰能力和过载保护特性,能够在极端工作条件下提供可靠的性能。这使得它特别适合用于电机驱动、照明系统和能源管理设备中。
V07P60P 常用于各种功率电子系统,如开关电源(SMPS)、电机控制、照明镇流器、逆变器以及工业自动化设备。其高耐压和低导通电阻的特性,使其成为高效电源转换器和电机驱动器的理想选择。此外,该MOSFET也可用于电池管理系统和不间断电源(UPS)设备中,以提供稳定可靠的功率控制能力。
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