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V07P60P 发布时间 时间:2025/8/30 19:48:45 查看 阅读:7

V07P60P 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)推出的功率MOSFET晶体管,主要用于高功率和高效率的应用。该器件采用了先进的沟道MOSFET技术,具备良好的导通特性和低开关损耗,适用于电源转换、电机控制和工业自动化等场景。V07P60P 的封装形式通常为TO-220或D2PAK,便于安装和散热管理。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):600V
  漏极电流(Id):7A(连续)
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):1.3Ω(最大值)
  功率耗散(Ptot):50W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-220 / D2PAK

特性

V07P60P 具有优异的导通性能和低导通电阻,这使得它在高功率应用中能够有效降低功耗并提高整体系统效率。此外,该MOSFET具备较高的热稳定性,能够在高温环境下保持稳定的性能。其栅极驱动设计优化,使得开关过程中的损耗降低,从而进一步提升效率。
  该器件的耐压能力较强,漏极-源极之间的最大电压可达600V,适用于中高功率的开关电源和工业控制设备。同时,V07P60P 的封装设计提供了良好的散热性能,有助于延长器件的使用寿命。
  此外,V07P60P 还具备较强的抗干扰能力和过载保护特性,能够在极端工作条件下提供可靠的性能。这使得它特别适合用于电机驱动、照明系统和能源管理设备中。

应用

V07P60P 常用于各种功率电子系统,如开关电源(SMPS)、电机控制、照明镇流器、逆变器以及工业自动化设备。其高耐压和低导通电阻的特性,使其成为高效电源转换器和电机驱动器的理想选择。此外,该MOSFET也可用于电池管理系统和不间断电源(UPS)设备中,以提供稳定可靠的功率控制能力。

替代型号

STP8NM60N、FQA7N60、IRF840、STW11NM60ND}

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V07P60P参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,500 : ¥1.22589散装
  • 系列LV UltraMOV?
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 最大 AC 电压60 V
  • 最大 DC 电压85 V
  • 压敏电压(最小)90 V
  • 压敏电压(典型)100 V
  • 压敏电压(最大)110 V
  • 电流 - 浪涌1.75 kA
  • 能源12J
  • 电路数1
  • 不同频率时电容700 pF @ 1 MHz
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TA)
  • 特性-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳圆片式 7mm