时间：2025/7/16 11:34:29
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FDP070AN06A0 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-220 封装，适用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。
这款功率 MOSFET 专为开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等应用设计，具备出色的电气特性和热性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：70A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：49nC
总电容：1530pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
FDP070AN06A0 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流处理能力，能够支持高达 70A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，得益于较低的栅极电荷和总电容。
4. 强大的散热性能，适合高温环境下的应用。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
这些特性使得 FDP070AN06A0 在高性能功率转换和控制应用中表现出色。
FDP070AN06A0 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的保护和控制电路。
5. 汽车电子中的大电流开关应用。
其强大的电流承载能力和快速开关速度使其成为许多高功率应用的理想选择。
FDP075AN06A, IRFZ44N, STP70NF06L
