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IS43R16160D-6BL-TR 发布时间 时间:2025/8/1 23:55:06 查看 阅读:29

IS43R16160D-6BL-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于异步SRAM兼容的DRAM类别,通常用于需要快速数据存取的应用中。该芯片的容量为256K x 16位,即512KB,工作电压为2.3V至3.6V,适合于广泛的工业和商业应用。

参数

容量:256K x 16位
  电压:2.3V - 3.6V
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装引脚数:54
  时钟频率:最大可达166MHz
  访问时间:5.4ns
  封装尺寸:54-TSOP
  数据宽度:16位

特性

IS43R16160D-6BL-TR具有高速数据存取能力,其访问时间仅为5.4ns,支持高达166MHz的时钟频率,使得该芯片在高性能数据处理系统中表现出色。该芯片采用CMOS工艺制造,具有低功耗的特点,适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。此外,其异步SRAM兼容接口使得它可以轻松替换传统的SRAM芯片,从而在不改变系统设计的情况下提升存储容量和性能。
  该芯片还具备良好的可靠性和稳定性,适用于苛刻的工业环境,工作温度范围为-40°C至+85°C,确保在极端温度条件下仍能正常运行。TSOP封装形式不仅提供了良好的散热性能,也便于PCB布局和焊接。IS43R16160D-6BL-TR广泛应用于通信设备、工业控制系统、测试设备、网络设备以及嵌入式系统等领域。

应用

IS43R16160D-6BL-TR主要应用于需要高速存储和数据缓冲的场景,如通信基础设施中的路由器和交换机、工业控制系统的实时数据处理、医疗成像设备的数据缓存、测试与测量设备的临时存储,以及各种嵌入式系统中的主存或高速缓存。由于其SRAM兼容接口和高性能特性,该芯片也常用于替代传统SRAM以实现更高的存储密度。

替代型号

IS42S16160B-6BL-TR, IS43S16160B-6BL-TR, CY62148EV30LL-BA75

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IS43R16160D-6BL-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 数据总线宽度16 bit
  • 组织16 Mbit x 16
  • 封装 / 箱体BGA-60
  • 存储容量256 Mbit
  • 最大时钟频率166 MHz
  • 访问时间6 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min1.65 V
  • 最大工作温度+ 70 C
  • 封装Reel
  • 最小工作温度0 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量2500