时间：2025/8/1 23:55:06
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IS43R16160D-6BL-TR是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的高速、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于异步SRAM兼容的DRAM类别，通常用于需要快速数据存取的应用中。该芯片的容量为256K x 16位，即512KB，工作电压为2.3V至3.6V，适合于广泛的工业和商业应用。
容量：256K x 16位
电压：2.3V - 3.6V
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装引脚数：54
时钟频率：最大可达166MHz
访问时间：5.4ns
封装尺寸：54-TSOP
数据宽度：16位
IS43R16160D-6BL-TR具有高速数据存取能力，其访问时间仅为5.4ns，支持高达166MHz的时钟频率，使得该芯片在高性能数据处理系统中表现出色。该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗的特点，适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。此外，其异步SRAM兼容接口使得它可以轻松替换传统的SRAM芯片，从而在不改变系统设计的情况下提升存储容量和性能。
该芯片还具备良好的可靠性和稳定性，适用于苛刻的工业环境，工作温度范围为-40°C至+85°C，确保在极端温度条件下仍能正常运行。TSOP封装形式不仅提供了良好的散热性能，也便于PCB布局和焊接。IS43R16160D-6BL-TR广泛应用于通信设备、工业控制系统、测试设备、网络设备以及嵌入式系统等领域。
IS43R16160D-6BL-TR主要应用于需要高速存储和数据缓冲的场景，如通信基础设施中的路由器和交换机、工业控制系统的实时数据处理、医疗成像设备的数据缓存、测试与测量设备的临时存储，以及各种嵌入式系统中的主存或高速缓存。由于其SRAM兼容接口和高性能特性，该芯片也常用于替代传统SRAM以实现更高的存储密度。
IS42S16160B-6BL-TR, IS43S16160B-6BL-TR, CY62148EV30LL-BA75
