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GA1206A821JXEBT31G 发布时间 时间:2025/5/30 20:34:01 查看 阅读:8

GA1206A821JXEBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于各类电源管理和电机驱动场景。
  该型号属于增强型N沟道MOSFET,其设计优化了在高频开关条件下的性能表现,同时具备良好的热稳定性和耐用性,适合要求严格的工业及消费类电子应用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:25A
  导通电阻(典型值):8.2mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关时间:ton=19ns, toff=47ns
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

GA1206A821JXEBT31G的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),有效降低功耗。
  2. 快速的开关速度,支持高频操作,提升系统效率。
  3. 高电流处理能力,满足大功率应用需求。
  4. 强大的热稳定性,确保在极端温度条件下的可靠运行。
  5. 紧凑封装设计,节省PCB空间,便于集成到各种电路中。
  6. 高耐压能力,提供额外的安全裕度,防止过压损坏。
  7. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

该型号广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流器。
  2. DC-DC转换器中的功率级开关元件。
  3. 电机驱动和控制电路中的功率开关。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关或保护开关。
  5. 各种工业自动化设备中的功率调节模块。
  6. 汽车电子中的高可靠性功率管理单元。
  7. 其他需要高效功率转换和控制的应用场景。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5500
  AO3400

GA1206A821JXEBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容820 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-