时间：2025/5/26 11:37:23
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1EDN8550BXTSA1 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沃特定点晶体管（NPN 晶体管）。该晶体管专为高频开关应用而设计，适用于功率放大器、DC-DC 转换器以及其他高效率电子电路。其卓越的电流增益和低饱和电压特性使其成为高性能电路的理想选择。
该型号属于 OptiMOS 系列，采用符合行业标准的 SOT223 封装形式，具有出色的热性能和电气性能。
集电极-发射极击穿电压：60V
连续集电极电流：4.8A
直流电流增益 (hFE)：最小值 100
最大功耗：2.5W
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
导通电阻 (Rds(on))：45mΩ
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
封装类型：SOT223
1EDN8550BXTSA1 具有以下显著特点：
1. 高效的开关性能，适合高频应用。
2. 低饱和电压 (Vce(sat))，典型值为 0.9V，确保更高的转换效率。
3. 快速开关速度，能够有效降低开关损耗。
4. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
5. 小型化封装，便于 PCB 布局和散热管理。
6. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境条件。
7. 具备良好的抗 ESD 性能，增强可靠性。
这款晶体管广泛应用于多种领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
3. 汽车电子设备中的负载开关和保护电路。
4. 工业控制中的电机驱动和信号放大。
5. 通信设备中的功率放大器和信号处理模块。
6. 消费类电子产品中的充电器和适配器电路。
1EDN8550BXTSA, 1EDN8550BXTSA1R1, BTS50040N2TSA1
