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IS43LR32800G-6BLI-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:27:50 查看 阅读:40

IS43LR32800G-6BLI-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的低功耗、高速同步动态随机存取存储器(SDRAM)芯片。该型号属于移动SDRAM(mSDRAM)类别,专为便携式电子设备设计,例如智能手机、平板电脑和其他需要低功耗内存的嵌入式系统。这款芯片提供了32M x 8位的存储容量,支持低电压操作,通常工作电压为1.7V至3.3V,以适应不同应用的电源管理需求。其封装形式为小型TSOP(薄型小外形封装),适合空间受限的应用环境。

参数

容量:32M x 8位
  类型:同步动态随机存取存储器(SDRAM)
  工作电压:1.7V至3.3V
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  数据速率:高达800MHz
  访问时间:5.4ns
  接口类型:并行接口
  功耗:低功耗设计
  时钟频率:最大166MHz
  数据宽度:8位
  封装尺寸:54-ball TSOP

特性

IS43LR32800G-6BLI-TR具备多项先进特性,使其适用于高性能便携式设备。首先,它采用同步接口,数据传输与系统时钟同步,提高系统效率和稳定性。其次,其低电压设计使其在1.7V至3.3V范围内工作,显著降低功耗,延长电池寿命。此外,该芯片支持自动刷新和自刷新模式,可在不丢失数据的情况下降低功耗。该型号还具有突发模式支持,允许在单一时钟周期内访问多个数据单元,提高数据传输效率。此外,IS43LR32800G-6BLI-TR具备高数据速率,支持高达800MHz的时钟频率,确保快速数据存取。最后,其TSOP封装结构提供良好的热管理和电气性能,适用于紧凑型电子设备。

应用

IS43LR32800G-6BLI-TR广泛应用于需要低功耗和高性能存储的嵌入式系统和便携式设备。典型应用包括智能手机、平板电脑、数码相机、便携式游戏机、工业控制设备以及需要高速缓存的网络设备。由于其低功耗特性,该芯片也适用于需要延长电池寿命的物联网(IoT)设备和可穿戴电子产品。

替代型号

IS48C16160B4-6A1B4-TR, IS43LR16400B-6BLI-TR, MT48LC16M16A2B4-6A1W

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IS43LR32800G-6BLI-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥46.50693卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPDDR
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织8M x 32
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间5.5 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳90-TFBGA
  • 供应商器件封装90-TFBGA(8x13)