FTA1668是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)推出的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件主要用于高效率电源转换和功率管理应用,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等。其设计目标是提供低导通电阻(Rds(on))和高开关速度,以降低导通损耗和开关损耗,从而提高整体系统效率。该MOSFET采用TO-220封装形式,具有良好的热性能和电流承载能力,适用于中高功率应用场景。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):80A
导通电阻(Rds(on)):14mΩ(典型值)
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:TO-220
FTA1668具有多项优异的电气和热性能特性。首先,其低导通电阻(Rds(on))为14毫欧姆(mΩ),在高电流条件下可显著降低导通损耗,提高能效。这使得该器件非常适合用于高功率密度设计中,如高效能电源和DC-DC转换器。
其次,该MOSFET的漏源电压(Vds)为60V,栅源电压(Vgs)为±20V,具有较高的电压容忍度,能够应对瞬态电压波动,提升系统稳定性与可靠性。此外,其连续漏极电流能力高达80A,满足大电流应用场景的需求。
在热管理方面,TO-220封装提供了良好的散热性能,能够在高负载条件下保持较低的工作温度,延长器件寿命并提高系统可靠性。同时,该封装形式也便于安装和散热片连接,适用于多种电路板设计环境。
此外,FTA1668具有较高的工作温度范围(-55°C至175°C),适用于各种严苛的工业和汽车电子应用环境,展现出良好的环境适应性。
综合来看,FTA1668是一款高性能功率MOSFET,具备低导通电阻、高电流承载能力、良好的热性能和宽工作温度范围等优点,能够满足现代电子系统对高效能、高可靠性的需求。
FTA1668广泛应用于多种功率电子系统中。首先,在开关电源(SMPS)领域,该器件用于主开关管或同步整流器,其低导通电阻和高开关速度有助于提升电源转换效率并减少热量产生。其次,在DC-DC转换器中,FTA1668常用于高边或低边开关,实现高效的电压调节,适用于服务器电源、通信设备电源以及工业自动化系统。
在电机控制方面,该MOSFET可用于H桥驱动电路或直流电机的开关控制,支持大电流负载的快速响应和精确控制,适用于机器人、自动化生产线以及电动工具等应用场景。
此外,FTA1668还可用于负载开关应用,例如电池管理系统、电源管理模块和热插拔电路,实现对负载的快速、安全控制。
在汽车电子领域,该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统(EPS)、LED照明驱动电路等,满足汽车环境对高可靠性和高稳定性的要求。
由于其优异的性能和广泛的应用范围,FTA1668是中高功率应用中理想的功率MOSFET选择。
IRF1404, Si4410DY, FDS6680, STP80NF55-08