FQU18N20V2 时间：2025/12/23 13:03:57 阅读：17

FQU18N20V2 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 QFN3*3-8L 封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛应用于消费类电子、工业控制和通信设备中。其额定电压为 200V，适用于需要高效能和小尺寸解决方案的电路设计。
　　该 MOSFET 的主要特点是其优化的 Rds(on) 参数，使其在高频开关应用中表现出较低的功耗，同时封装的小型化也使得它非常适合对空间有严格要求的设计场景。

参数

最大漏源电压：200V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：1.8A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.4Ω（典型值，在 Vgs=10V 时）
　　总功耗：650mW
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：QFN3*3-8L

特性

FQU18N20V2 具备以下显著特点：
　　1. 高击穿电压（200V），确保了在高压环境下的可靠运行。
　　2. 极低的导通电阻（1.4Ω 典型值），减少了传导损耗，提高了系统效率。
　　3. 快速开关能力，适合高频应用场景。
　　4. 小型化的 QFN3*3-8L 封装，节省 PCB 空间，简化布局设计。
　　5. 良好的热稳定性和抗静电能力（ESD），增强了器件的耐用性。
　　6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
　　这些特性使 FQU18N20V2 成为众多中小功率应用的理想选择，例如电源管理、电机驱动和负载开关等场景。

应用

FQU18N20V2 可用于多种电子设备和系统中，具体包括：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器中的功率开关。
　　2. 电池保护电路和充电管理模块。
　　3. 电机驱动器中的半桥或全桥配置负载开关和电子保险丝。
　　5. LED 驱动器和背光控制。
　　6. 工业自动化控制中的信号隔离和功率传输。
　　由于其高电压承受能力和低导通电阻，这款 MOSFET 特别适合于需要高性能和高效率的中小功率应用场合。