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IS43LR32160C-6BLI 发布时间 时间:2025/9/1 9:15:37 查看 阅读:13

IS43LR32160C-6BLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高性能、低功耗的DRAM芯片,属于移动型DRAM(mDRAM)类别。该型号为移动设备、嵌入式系统和便携式电子产品设计,具有较小的封装尺寸和较低的功耗,同时提供较高的数据存储带宽。这款DRAM芯片采用32MB的容量,16位的数据宽度,工作频率可达166MHz,支持自动刷新和自刷新模式,适用于对功耗敏感的电池供电设备。

参数

容量:32Mbit
  组织方式:x16
  封装类型:TSOP
  工作电压:2.3V - 3.6V
  最大访问时间:6.0ns
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装引脚数:54
  数据宽度:16位
  最大时钟频率:166MHz
  功耗(典型值):100mA(工作模式)
  刷新周期:64ms
  

特性

IS43LR32160C-6BLI具备多项优异特性,使其在移动设备和嵌入式系统中表现出色。
  首先,该芯片采用低功耗设计,支持多种省电模式,包括待机模式和自刷新模式,显著降低了系统整体的功耗。这种特性使其非常适合用于电池供电设备,如智能手机、平板电脑和便携式医疗设备。
  其次,IS43LR32160C-6BLI采用TSOP封装形式,封装尺寸小,便于在空间受限的电路板上布局,同时具有良好的散热性能,适合高温环境下工作。
  其工作电压范围较宽,为2.3V至3.6V,兼容多种电源管理系统,增强了其在不同应用环境下的适应性。此外,该芯片支持高速数据访问,最大时钟频率可达到166MHz,提供高达266MB/s的数据带宽,能够满足图像处理、视频缓存等高带宽需求的应用场景。
  IS43LR32160C-6BLI还具备高可靠性和稳定性,其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境。其自动刷新和自刷新功能确保数据在长时间运行中保持完整性,减少了外部控制器的负担,提高了系统的稳定性。
  总的来说,IS43LR32160C-6BLI是一款集低功耗、高性能和高可靠性于一体的DRAM芯片,是移动和嵌入式应用的理想选择。

应用

IS43LR32160C-6BLI广泛应用于多种嵌入式系统和便携式电子设备中。常见的应用场景包括智能手机、平板电脑、GPS导航设备、工业控制设备、医疗监测仪器以及便携式多媒体播放器等。
  在移动设备中,该芯片可用作高速缓存或临时数据存储,提升系统响应速度和图形处理能力。在工业控制系统中,IS43LR32160C-6BLI可作为PLC、数据采集设备或自动化控制系统的内存模块,确保数据的快速存取和处理效率。
  此外,该芯片还适用于网络通信设备、消费类电子产品(如电子书、智能穿戴设备)以及汽车电子系统。其宽温工作能力和低功耗特性,使其在恶劣环境或长时间运行的设备中表现出色,保障了系统的稳定性和可靠性。

替代型号

IS43SR32160D-6BLI, IS43LR16160B-6BLI, CY7C1019DV33-10ZSXI, MT48LC16M32A2B4-6A

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IS43LR32160C-6BLI参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格240 : ¥64.35413托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPDDR
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织16M x 32
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页12ns
  • 访问时间5.5 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳90-TFBGA
  • 供应商器件封装90-TFBGA(8x13)