时间：2025/6/17 3:45:21
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LFSN25N15C1907BAG-593 是一款基于硅技术的 N 沣道开关晶体管（MOSFET），专为高功率应用设计。该器件采用先进的沟槽式工艺制造，具有低导通电阻和优异的开关性能。它适用于多种工业和汽车领域中的高效能电力转换系统。
该型号的主要特点是优化了 Rds(on) 和栅极电荷之间的权衡，从而在高频开关条件下实现更低的损耗和更高的效率。
类型：N 沓道 MOSFET
电压等级：150V
连续漏极电流（Id）：25A
导通电阻（Rds(on)）：19mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷（Qg）：65nC
总电容（Ciss）：4800pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-3
这款 MOSFET 具有较低的导通电阻，能够在高电流应用中减少传导损耗。同时，其优化的栅极电荷设计使其具备出色的动态性能，适合高频开关应用。
该器件还提供良好的热稳定性和鲁棒性，能够承受严苛的工作条件，例如短路保护、雪崩能力等。此外，其耐高温能力使其非常适合恶劣环境下的使用场景。
LFSN25N15C1907BAG-593 的快速开关特性和低开关损耗使其成为硬开关和软开关拓扑的理想选择，包括但不限于升压转换器、降压转换器、逆变器以及 DC/DC 转换器等。
此款 MOSFET 广泛应用于各种高功率密度电力电子设备，如太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、电动车辆（EV/HEV）牵引逆变器以及其他需要高效能量转换的工业和汽车系统。
由于其优越的热性能和电气特性，LFSN25N15C1907BAG-593 还被用于设计紧凑型和高性能的电源解决方案，例如服务器电源、通信电源以及消费类电子产品的适配器。
LFSN25N15C1907BAG-592, LFSN25N15C1907BAF-593
