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IS43LR32160B-6BL 发布时间 时间:2025/9/1 8:36:22 查看 阅读:4

IS43LR32160B-6BL 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于LPSDRAM(低功耗同步动态随机存取存储器)类别,专为需要高效能与低能耗的便携式电子设备设计,如移动电话、PDA、平板电脑等。IS43LR32160B-6BL 的容量为512Mb(兆位),组织形式为32M x16,支持16位数据宽度。该器件采用CMOS工艺制造,支持自动刷新和自刷新功能,以降低功耗并提高系统效率。

参数

容量:512Mb
  组织形式:32M x 16
  电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:5.4ns(最大)
  封装类型:TSOP
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  数据宽度:16位
  刷新模式:自动刷新、自刷新
  时钟频率:166MHz(最大)

特性

IS43LR32160B-6BL 具备多项显著特性,使其在低功耗和高性能应用中表现出色。
  首先,该芯片支持低电压操作,其电源电压范围为2.3V至3.6V,适用于多种低功耗应用环境。这一电压范围不仅提高了能效,还能延长电池供电设备的续航时间。
  其次,IS43LR32160B-6BL 支持自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)模式。自动刷新模式允许系统在不中断操作的情况下定期刷新存储单元,确保数据完整性;而自刷新模式则可在待机或低功耗状态下自动维持存储数据,从而进一步降低功耗。
  此外,该芯片的工作频率高达166MHz,提供高速的数据存取能力,适用于对性能要求较高的嵌入式系统。其TSOP封装形式不仅节省空间,还具备良好的散热性能,适用于高密度电路设计。
  IS43LR32160B-6BL 的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级应用环境,具备良好的温度适应性和稳定性。该芯片的CMOS工艺制造确保了低功耗和高噪声抑制能力,提高了整体可靠性。
  最后,该DRAM芯片的数据宽度为16位,适合需要较宽数据总线的应用场景,如图像处理、数据缓存等。其5.4ns的访问时间确保了快速的数据响应,满足高性能系统的需求。

应用

IS43LR32160B-6BL 主要应用于需要高性能和低功耗的便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、数码相机、便携式游戏机等。其低电压操作和自刷新功能使其特别适合电池供电设备,可有效延长设备使用时间。
  在通信设备中,该芯片可用于缓存数据、存储临时信息或作为主存储器的扩展,提高系统处理能力。在工业控制和自动化设备中,IS43LR32160B-6BL 可用于存储程序、缓存传感器数据或作为图形缓冲器。
  此外,该芯片也适用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统(IVI)、导航系统、高级驾驶辅助系统(ADAS)等,提供稳定可靠的存储解决方案。其宽温工作范围确保在恶劣环境下的稳定运行。
  由于其16位数据宽度和高速访问能力,IS43LR32160B-6BL 也可用于图像处理、视频缓冲、网络设备和嵌入式系统,满足对存储性能和功耗的双重需求。

替代型号

IS48C16160A-6BL, IS43S16400A-6BL, IS43LR32256B-6BL

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IS43LR32160B-6BL参数

  • 制造商ISSI
  • 封装Tray
  • 工厂包装数量240