时间：2025/8/2 9:48:58
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PMPB13XNEA是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的StripFET?技术，具有低导通电阻、高效率和良好的热性能。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电池管理系统以及工业控制等领域。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：100V
连续漏极电流(Id)：80A
导通电阻(Rds(on))：13mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷(Qg)：220nC
功率耗散(Pd)：300W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-247
PMPB13XNEA具有多项卓越的电气和物理特性，适用于高功率密度和高效能的应用。其主要特性包括：
1. **低导通电阻（Rds(on)）**：该MOSFET的导通电阻仅为13mΩ（在Vgs=10V时），可显著降低导通损耗，提高系统效率，特别适用于高电流应用场景。
2. **高电流处理能力**：连续漏极电流可达80A，支持大功率负载，确保在高负载条件下稳定运行。
3. **增强型封装设计**：采用TO-247封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在高温环境下工作。
4. **优异的开关性能**：栅极电荷（Qg）为220nC，有助于减少开关损耗，提高系统响应速度，适用于高频开关应用。
5. **高功率耗散能力**：最大功率耗散为300W，确保器件在高功耗条件下仍能保持稳定运行。
6. **宽工作温度范围**：可在-55°C至175°C的温度范围内正常工作，适用于各种恶劣环境条件下的应用。
7. **可靠性高**：基于STMicroelectronics先进的制造工艺和严格的质量控制标准，PMPB13XNEA具有较长的使用寿命和优异的稳定性。
PMPB13XNEA广泛应用于多个领域，包括：
1. **电源管理系统**：如DC-DC转换器、同步整流器、电源模块等，用于提高系统效率和降低能量损耗。
2. **工业自动化和控制系统**：用于电机驱动、继电器控制、负载开关等高可靠性应用场景。
3. **电池管理系统（BMS）**：适用于电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）和储能系统的电池充放电管理。
4. **逆变器和UPS系统**：用于不间断电源（UPS）和逆变器系统中，实现高效的能量转换和稳定的输出性能。
5. **LED照明和电源供应**：在高功率LED驱动和电源适配器中提供高效率和紧凑的解决方案。
6. **家电和消费类电子产品**：用于需要高效率、小体积和高可靠性的电源管理方案，如智能家电、智能电表等。
STP80NF10, IRF1404, FDP80N10A
