时间：2025/6/27 8:15:05
阅读：8
3EZ400D5是一种高性能的功率MOSFET器件，专为需要高效率和低导通电阻的应用而设计。该芯片采用先进的制造工艺，具有出色的开关特性和热性能，适用于多种电力电子应用场合。
这款功率MOSFET广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域，能够有效降低功耗并提升系统整体效率。
型号：3EZ400D5
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：400V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：8.6A
导通电阻(Rds(on))：1.1Ω(典型值，Vgs=10V)
总功耗(Ptot)：225W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-220
3EZ400D5具有以下主要特性：
1. 高耐压能力：400V的最大漏源电压使其非常适合高压应用环境。
2. 低导通电阻：在额定条件下，其导通电阻仅为1.1Ω，有助于降低导通损耗。
3. 快速开关速度：优化的内部结构确保了较低的开关损耗和高效的运行性能。
4. 强大的散热性能：结合TO-220封装，具备良好的热传导能力，能够承受较高的功率负载。
5. 宽工作温度范围：支持从-55℃到+175℃的结温范围，适应各种极端环境下的使用需求。
6. 高可靠性：经过严格的质量控制流程，保证长期稳定运行。
3EZ400D5适用于以下典型应用场景：
1. 开关电源(SMPS)：作为主功率开关管，提供高效稳定的能量转换。
2. DC-DC转换器：用于升降压电路中，实现精确的电压调节。
3. 电机驱动：在无刷直流电机或步进电机驱动电路中，充当功率输出级。
4. 电池保护电路：通过快速响应过流和短路情况，确保电池安全。
5. 工业自动化设备：如逆变焊机、电磁炉等需要高可靠性和高效率的工业应用领域。
IRF840
STP80NF40
FDP150N40L
