时间：2025/8/1 23:45:27
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IS43LR32100C-6BLI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高性能、低功耗的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于LDR SDRAM（Low Power Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory）类别。该芯片设计用于便携式电子设备和需要高效能与低功耗的系统中，例如移动电话、平板电脑、便携式游戏机和其他低功耗嵌入式设备。IS43LR32100C-6BLI具有128Mbit的存储容量，采用x32的I/O配置，工作电压为2.3V至3.6V，适用于多种应用场景。
容量：128 Mbit
接口类型：LDR SDRAM
I/O配置：x32
工作电压：2.3V - 3.6V
封装类型：TSOP
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
时钟频率：最大可达166MHz
数据速率：166MHz
IS43LR32100C-6BLI具备多项先进的特性，使其在低功耗和高性能之间达到良好的平衡。其LDR SDRAM架构允许在较低的电压下运行，同时保持较高的数据传输速率，从而减少功耗并提高能效。该芯片支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，可以在不频繁访问时自动维护数据完整性，进一步降低功耗。
IS43LR32100C-6BLI采用了TSOP（Thin Small Outline Package）封装技术，具有较小的封装尺寸和较高的机械稳定性，非常适合空间受限的便携式设备。其工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），确保在各种环境条件下都能稳定运行。
此外，该DRAM芯片还支持多种电源管理模式，包括待机模式和深度掉电模式，能够在设备处于闲置状态时显著降低功耗。这些特性使得IS43LR32100C-6BLI非常适合用于需要长时间运行且对电池寿命要求较高的应用场合。
IS43LR32100C-6BLI广泛应用于各种便携式电子设备和嵌入式系统中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备、便携式游戏机、工业控制设备和网络设备。在这些设备中，该DRAM芯片为系统提供了快速的数据访问能力和高效的内存管理，同时保持较低的能耗，有助于延长设备的电池寿命。此外，它也适用于需要中等存储容量和高可靠性的工业控制系统和医疗设备。
IS43LR32100C-6BLI
