时间：2025/9/1 12:57:01
阅读：10
IS43LR16640A-6BLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高性能、低功耗的伪静态随机存取存储器（PSRAM）。该器件结合了异步静态随机存取存储器（SRAM）接口和动态随机存取存储器（DRAM）的核心技术，提供了类似SRAM的易用性和DRAM的大容量。该芯片采用16位数据总线宽度，容量为64Mbit（即8MB），适合需要大容量内存但又希望保持简单接口的应用场景。
容量：64Mbit
数据总线宽度：16位
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装引脚数：54
电源电压：2.3V 至 3.6V
访问时间：5.4ns（最大）
封装尺寸：54-TSOP
制造工艺：CMOS
IS43LR16640A-6BLI-TR 是一款具有高性能和低功耗特性的伪静态随机存取存储器（PSRAM），其核心架构结合了SRAM的易用性和DRAM的高密度存储能力，使其在嵌入式系统和便携式设备中具有广泛的应用前景。该芯片采用CMOS工艺制造，能够在2.3V至3.6V的宽电压范围内稳定工作，适用于多种电源环境。其访问时间最大为5.4ns，确保了高速数据读写能力，提高了系统的整体响应速度。
该器件采用16位并行数据总线，支持异步操作模式，允许用户以类似传统SRAM的方式进行访问，简化了系统设计并降低了开发难度。此外，IS43LR16640A-6BLI-TR 采用54引脚TSOP封装，符合工业级温度标准（-40°C至+85°C），可在各种恶劣环境下稳定运行，适用于工业控制、通信设备、消费电子和汽车电子等应用场景。
在功耗方面，该芯片设计有多种低功耗模式，包括待机模式和深度睡眠模式，能够有效延长电池供电设备的续航时间。同时，其内部刷新机制由芯片自动管理，无需外部控制器干预，进一步降低了系统复杂度。这种自刷新能力使得该器件特别适合需要长时间运行且对功耗敏感的设计。
IS43LR16640A-6BLI-TR 广泛应用于需要大容量、高速、低功耗存储的嵌入式系统，如工业控制器、网络通信设备、图形显示模块、便携式医疗设备、手持终端设备以及汽车电子系统。该芯片由于其异步SRAM接口和自刷新DRAM架构的结合，尤其适合那些需要大容量缓存但不希望使用复杂DRAM控制器的设计。例如，在工业自动化控制系统中，它可以用作程序存储器或高速数据缓存；在通信设备中，它可以作为协议处理缓存或数据缓冲区；在便携式设备中，如手持终端或智能穿戴设备，其低功耗特性可以显著延长电池续航时间。
IS43LR16256A-6BLI-TR, IS43LR16512A-6BLI-TR, CY7C1061KV33-10ZSXI
