类型：IGBT模块
　　拓扑结构：双IGBT + 反并联二极管
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：600V
　　额定集电极电流（IC）：50A（在Tc=80℃条件下）
　　短路电流能力：150A（最大）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：SKiiP（无引脚封装）
　　隔离电压：2500Vrms（1分钟）
　　热阻（RthJC）：0.38°C/W
　　开关损耗：典型值Eon=1.7mJ，Eoff=1.9mJ（在25°C条件下）
　　导通压降：约2.1V（在IC=50A时）

SKT552/06E模块具有多项先进特性，适用于高可靠性电力电子系统。其核心为两个高性能IGBT器件，具备较低的导通压降和开关损耗，从而提高了系统的整体效率。模块内部集成了反并联二极管，用于在逆变器应用中提供回馈电流路径，提高系统的稳定性。模块采用Semikron专利的SKiiP封装技术，无需螺钉固定，简化了安装过程，并提供了优良的热传导性能，确保模块在高负载条件下仍能保持稳定的温度。此外，模块具有较高的短路耐受能力，能够在瞬态过载条件下保持正常运行，提升了系统的可靠性和安全性。模块的绝缘性能良好，隔离电压高达2500Vrms，适用于多种高压应用环境。SKT552/06E还具备良好的抗振动和抗冲击能力，适用于工业和交通领域的严苛环境。

SKT552/06E广泛应用于中高功率电力电子系统中，如工业电机驱动、变频器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备和轨道交通系统。该模块的高性能和高可靠性使其成为工业自动化和新能源领域的理想选择。由于其优异的热管理和电气性能，特别适用于需要长时间稳定运行和高效率的系统设计。

SKM50GB12T4, FS50R12KT4