IS34MW04G084-TLI 是由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的一款高性能、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于异步静态随机存取存储器(Asynchronous SRAM)类别,具有高速访问时间和稳定的性能表现,适用于对数据存储和读写速度要求较高的应用场景。
容量:4Mbit(512K x 8)
电源电压:2.3V 至 3.6V
访问时间:55ns / 70ns / 100ns(根据不同版本)
封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
封装尺寸:51-ball TSOP
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
数据输入/输出方式:并行(x8)
封装引脚数:51-pin
封装宽度:8-bit
最大时钟频率:无(异步模式)
IS34MW04G084-TLI 具有多种关键特性,使其在多种应用中表现出色。首先,其宽电压范围(2.3V 至 3.6V)使其适用于不同电源设计的系统,增强了兼容性。其次,该芯片采用TSOP封装,具有较小的封装体积和良好的散热性能,适合高密度PCB布局。此外,该芯片支持工业级工作温度范围(-40°C 至 +85°C),可在恶劣环境下稳定运行,确保系统可靠性。
在性能方面,IS34MW04G084-TLI 提供了多种访问时间选项(如55ns、70ns和100ns),允许设计者根据系统需求选择最适合的速度等级。异步操作模式使得该芯片无需外部时钟信号即可工作,简化了系统设计并降低了功耗。此外,其并行x8数据接口支持高速数据存取,适用于需要快速响应的实时系统。
该芯片的制造工艺采用了先进的CMOS技术,显著降低了静态和动态功耗,延长了电池供电设备的使用寿命。此外,其高抗干扰能力和数据保持能力,使其在复杂电磁环境中依然保持稳定运行。
IS34MW04G084-TLI 广泛应用于需要高性能、低功耗和可靠存储的电子系统中。典型应用包括网络设备、工业控制系统、测试仪器、医疗设备、通信模块、嵌入式系统以及消费类电子产品中的高速缓存或临时数据存储单元。其工业级温度支持和低功耗特性,也使其适用于户外设备和便携式电子产品。
IS34MW04G084-TLI 可以被以下型号替代:IS34MW04G084-TLL、IS34MW04G084-TR、ISSI IS34MW04G084-TLI-TR、ISSI IS34MW04G084-TLI-T。具体替代型号应根据应用需求和电气参数进行匹配验证。