TQQ0041 时间：2025/8/16 10:18:56 阅读：28

TQQ0041 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，适用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的工艺技术，具备较低的导通电阻和快速的开关特性，能够在较高的频率下工作，从而提高系统的整体效率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：40V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：140A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为2.9mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

TQQ0041 MOSFET 具有出色的电气性能和可靠性，其低导通电阻（RDS(on)）特性可显著降低导通损耗，提高系统的能效。此外，该器件的封装形式（TO-263）设计能够有效散热，适用于高功率密度的应用场景。
　　该MOSFET具备快速开关能力，能够适应高频开关电源和电机控制等应用的需求。同时，其栅极驱动电压范围较宽（±20V），使得在不同的驱动条件下都能保持稳定的性能。
　　TQQ0041 还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，适用于苛刻的工业和汽车电子环境。其坚固的结构设计和高耐久性使其在长期运行中表现出色。

应用

TQQ0041 MOSFET 主要应用于电源管理、直流-直流转换器、电机驱动、电池管理系统（BMS）、汽车电子以及工业自动化控制等领域。由于其高电流承载能力和低导通电阻，该器件特别适合用于高功率开关电源和高效能电机控制系统。
　　在电动汽车和混合动力汽车中，TQQ0041 可用于电池管理系统中的功率开关，确保高效能和可靠性。此外，在工业自动化控制系统中，该MOSFET可作为高效开关元件，用于控制大功率负载。