SSH70N10 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高功率开关应用。该器件采用先进的技术设计,具有低导通电阻、高耐压能力以及优异的热性能,适用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器等多种电子系统。
类型:N 沟道
最大漏源电压(VDS):100V
最大漏极电流(ID):70A(在 25°C 下)
导通电阻(RDS(on)):约 6.5mΩ(典型值)
栅极电荷(Qg):约 75nC
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装类型:TO-220 或 D2PAK(具体取决于产品变种)
SSH70N10 的核心特性之一是其极低的导通电阻(RDS(on)),这使得该器件在高电流应用中能够显著降低功耗并提高效率。其 RDS(on) 典型值仅为 6.5mΩ,在 70A 的额定电流下,导通损耗非常低,有助于提升系统整体能效。
此外,该 MOSFET 支持高达 100V 的漏源电压,适用于中高功率电源系统。其高电流承载能力(70A)使其适用于电机驱动、逆变器以及高功率 DC-DC 转换器等场景。
该器件采用了先进的制造工艺,具有良好的热稳定性和可靠性。其工作温度范围为 -55°C 至 175°C,适应各种严苛的工作环境,确保在高温条件下仍能稳定运行。
SSH70N10 还具有较低的栅极电荷(Qg)特性,约为 75nC,这有助于减少开关损耗,提高高频开关应用中的效率。结合其高耐压能力和低导通电阻,这款 MOSFET 在功率转换器和电机控制电路中表现出色。
该器件提供多种封装形式,包括 TO-220 和 D2PAK,便于在不同电路设计中使用。D2PAK 封装支持表面贴装技术(SMT),适用于自动化生产和高密度 PCB 设计。
SSH70N10 广泛应用于多种高功率电子系统中。在电源管理领域,该器件常用于同步整流器、DC-DC 转换器和负载开关,以提高转换效率并减少热损耗。其低导通电阻和高电流能力使其成为高功率电源模块的理想选择。
在电机控制和驱动器设计中,SSH70N10 可用于 H 桥电路和电机驱动器,提供高效的开关性能和稳定的运行能力。其高耐压特性也使其适用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机的驱动应用。
该 MOSFET 还常用于电池管理系统(BMS)、UPS(不间断电源)以及太阳能逆变器等应用。在这些系统中,SSH70N10 可作为主开关器件,提供高效的功率控制和可靠的运行性能。
此外,该器件也可用于工业自动化设备、电动车控制器、储能系统和高功率 LED 驱动器等应用,满足多种高功率需求。
IRF1405, IPW90R150P7S, FDP70N10