时间：2025/9/1 9:42:46
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IS43LR16320C-6BLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该型号属于LPSDRAM（低功耗同步动态随机存取存储器）类别，专为便携式电子设备和对功耗敏感的应用而设计。该芯片的存储容量为512Mb（兆位），组织方式为16位 x 32M（即每个地址读写16位数据，总共32M个地址）。IS43LR16320C-6BLI 采用32MB（megabits）容量的32M x 16结构，适用于需要高速数据存取和节能特性的设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和移动计算设备。
容量：512Mb
组织方式：x16
封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
电源电压：2.3V - 3.6V（I/O） / 2.5V（核心）
最大工作频率：166MHz
访问时间：5.4ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装尺寸：54-ball TSOP
数据宽度：16位
刷新周期：64ms
封装工艺：CMOS
时钟频率：166MHz
功耗：典型工作电流 120mA（典型值）
IS43LR16320C-6BLI 的主要特性包括低功耗设计、高速存取能力和宽电压操作范围。该芯片支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）模式，从而在待机或低活动状态下显著降低功耗，延长电池寿命。其高速接口支持166MHz的时钟频率，使数据访问延迟降低，适用于需要高性能内存访问的应用场景。
该芯片采用CMOS工艺制造，具有良好的抗干扰能力和稳定性。封装方面采用54-ball TSOP封装，具有较高的可靠性和较小的PCB占用空间，适合紧凑型电子产品设计。此外，IS43LR16320C-6BLI 的工作温度范围为-40°C至+85°C，使其适用于各种工业和消费类应用环境。
这款LPSDRAM芯片还支持突发模式（Burst Mode）操作，允许连续访问多个存储地址，提高数据吞吐效率。其时序参数（如tRC、tRC、tAA等）经过优化，以确保在高频操作下仍保持稳定性和可靠性。
IS43LR16320C-6BLI 主要用于需要低功耗和高速内存访问的嵌入式系统和移动设备。典型应用包括智能手机、平板电脑、智能手表、便携式媒体播放器、无线接入设备和手持式工业控制系统。此外，该芯片也适用于需要缓存存储器（如帧缓存、数据缓冲）的嵌入式图像处理系统和视频采集设备。
由于其低功耗特性和紧凑的封装形式，IS43LR16320C-6BLI 也非常适合用于电池供电设备，例如便携式GPS导航仪、移动支付终端、穿戴式健康监测设备等。在工业控制领域，它也可作为高速缓存用于实时数据采集和处理系统。此外，该芯片的高稳定性使其适用于需要长时间连续运行的工业和通信设备，如路由器、交换机和无线基站。
IS42S16320B-6BLI, IS43R16320B-6BLI, MT48LC16M32A2B4-6A, K4S641632K
