型号：QM50TF-H
　　封装类型：TO-247
　　最大漏源电压（Vds）：650V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：50A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：200A
　　最大功耗（Pd）：310W
　　导通电阻（Rds(on)）：75mΩ @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vth）：3.0V ~ 4.5V
　　二极管正向电压（Vf）：1.7V
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C

QM50TF-H采用了Qorvo先进的SuperFET?沟槽式场截止技术，这种技术通过优化电场分布和减少寄生电容，显著提升了器件的开关速度与效率。其核心优势之一是极低的导通电阻（Rds(on)），仅为75mΩ，在同类650V MOSFET中处于领先水平，这有效降低了导通损耗，提高了系统的整体能效。该器件具有非常低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），使得在高频开关应用中能够大幅减少驱动损耗和开关损耗，特别适用于硬开关和软开关拓扑如LLC谐振变换器、有源钳位反激等。
　　另一个关键特性是其出色的热性能。得益于TO-247封装的大面积金属背板设计，QM50TF-H具备优良的散热能力，可在高温环境下长期稳定运行。器件内部结构经过优化，减少了热阻（Rth(j-c)），从而延缓了热失效的发生，增强了长期工作的可靠性。此外，该MOSFET具备强大的抗雪崩能量能力（EAS），符合工业级可靠性标准，能够在电源短路或感性负载断开等异常工况下承受瞬时高压冲击而不损坏。
　　在栅极驱动方面，QM50TF-H支持标准逻辑电平驱动（通常需10V以上完全导通），兼容主流驱动IC输出。其阈值电压范围适中（3.0V~4.5V），避免了误触发风险，同时保证了足够的噪声裕量。体二极管具有较快的反向恢复特性，虽然不建议作为主续流路径长期使用，但在桥式电路中可提供必要的换流功能。综合来看，QM50TF-H是一款兼顾高性能、高可靠性和易用性的功率MOSFET，适用于严苛工业环境下的高效能电源系统设计。

QM50TF-H广泛应用于多种高功率、高效率的电力电子系统中。典型应用场景包括工业级开关电源（SMPS），特别是用于服务器电源、通信电源模块中的主开关管或同步整流器。在太阳能逆变器系统中，它可用于DC-AC转换级的高频斩波电路，凭借其低导通损耗和快速开关特性提升整体转换效率。该器件也常见于电动汽车充电设备（如车载充电机OBC和直流充电桩）的PFC（功率因数校正）升压电路中，承担大电流开关任务。
　　在电机驱动领域，QM50TF-H适用于中等功率的三相逆变器或H桥驱动电路，驱动伺服电机、步进电机或小型电动工具中的无刷直流电机（BLDC）。由于其具备良好的动态响应能力和热稳定性，能够在频繁启停和负载变化条件下保持高效运行。此外，该MOSFET还可用于UPS不间断电源、焊接电源、感应加热设备等需要高耐压、大电流开关能力的场合。
　　在高端消费类电源产品中，如大功率LED驱动电源、笔记本电脑适配器和游戏主机电源，QM50TF-H也能胜任高密度、高效率的设计需求。其TO-247封装便于安装散热片，适合手工焊接和自动化生产，因此在原型开发和批量制造中均具有良好的适应性。总体而言，该器件适用于所有要求650V耐压等级、50A左右电流能力且注重能效与可靠性的功率转换场景。

SPW47N60CFD
　　STFW50N60DM2
　　IPW60R070CFD