时间：2025/6/29 10:46:40
阅读：8
GA0402Y562JXAAP31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件采用了先进的沟槽式结构设计，具备低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提升系统效率。
此型号为N沟道增强型MOSFET，采用业界标准的封装形式，适合高频应用场合。其优化的电气性能使其成为许多高要求工业及消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：40V
持续漏极电流：28A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：47nC
总电容：300pF
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著减少传导损耗。
2. 快速开关速度，有助于降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 符合RoHS标准，环保无铅工艺。
5. 内置ESD保护，提高了抗静电能力。
6. 稳定的工作温度范围，适应各种恶劣环境。
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 各种电机控制电路中的驱动元件。
3. DC-DC转换器的核心功率元件。
4. 负载切换与保护电路。
5. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备中的功率级组件。
IRF3710, FDP5800, STP10NK04-08
