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CS6N60A3D 发布时间 时间:2025/8/2 0:31:45 查看 阅读:21

CS6N60A3D 是一款由华润华晶微电子(简称华微电子)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电压和高电流的应用场景,例如电源转换、马达控制、LED驱动和各类开关电源设备。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻以及优良的热稳定性,适合在苛刻的电气环境下工作。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):6A
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  导通电阻(Rds(on)):典型值为1.2Ω
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

CS6N60A3D具有多项优异特性,能够满足多种高要求的应用需求。首先,其高耐压能力(漏源电压达600V)使其非常适合用于高电压环境,例如工业电源和LED驱动电源。其次,导通电阻较低(典型值1.2Ω),这有助于减少导通损耗,提高系统效率,同时降低散热需求,从而缩小整体电源模块的尺寸。此外,该器件的栅源电压为±20V,表明其具有较高的栅极电压耐受能力,这在高噪声环境中尤其重要,有助于避免因栅极电压波动导致的误开通或损坏。CS6N60A3D采用TO-252(DPAK)封装形式,这种封装不仅具有良好的散热性能,还具备较高的机械稳定性和可靠性,适合表面贴装工艺,从而提升生产效率和产品的一致性。
  在热性能方面,CS6N60A3D能够在较宽的工作温度范围内稳定运行(-55℃至+150℃),适用于各种极端环境下的应用,例如户外LED显示屏、工业自动化设备和电源适配器等。此外,该器件具有良好的抗雪崩能力和过载能力,能够在短时间内承受较高的电流冲击,从而提高系统的稳定性与安全性。

应用

CS6N60A3D主要用于电源管理和功率控制领域。其高耐压和低导通电阻的特性使其广泛应用于开关电源(SMPS)、AC/DC转换器、DC/DC转换器、LED照明驱动电源、电池充电器、马达驱动电路以及各种工业控制设备。例如,在开关电源中,CS6N60A3D可以作为主开关管,用于实现高效的能量转换;在LED驱动电路中,它可作为恒流控制开关,确保LED亮度稳定;在马达控制中,该器件可用于调节马达的转速和方向。此外,由于其封装形式适合表面贴装技术(SMT),因此在自动化生产和小型化电子产品中也得到了广泛应用。

替代型号

FQP6N60C, STF6N60DM2, IRF840, 6N60, FQA6N60C

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