时间：2025/9/1 8:45:41
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IS43DR82560C-3DBLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高性能、低功耗的DRAM芯片。该芯片属于异步静态随机存取存储器类别，广泛用于需要高速数据存取的工业控制、通信设备和嵌入式系统中。
容量：256K x 8位
组织方式：256K地址，每个地址8位数据
封装：54引脚TSOP（Thin Small Outline Package）
工作温度范围：-40°C至+85°C
电源电压：3.3V
最大访问时间：3.5ns
封装尺寸：54-TSOP
数据输出方式：三态输出
工作模式：异步模式
时钟频率：无时钟（异步）
存储类型：DRAM
IS43DR82560C-3DBLI 采用先进的CMOS技术制造，具有低功耗和高速性能的特点。其异步操作模式允许在不依赖系统时钟的情况下进行快速数据访问，适用于多种需要灵活控制的场合。
该芯片具备强大的驱动能力，支持三态输出，可以方便地连接到数据总线上而不影响其他设备的正常运行。其54-TSOP封装形式不仅节省空间，而且具备良好的散热性能，适合在紧凑型电子设备中使用。
此外，IS43DR82560C-3DBLI 的宽工作温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种工业环境，确保在极端温度条件下的稳定性和可靠性。该芯片的高性能和低功耗设计，使其成为通信设备、工业控制系统、网络设备以及嵌入式系统中的理想选择。
其3.3V的电源供电方案兼容现代电子系统的主流电压标准，降低了电源设计的复杂性，并且减少了功耗和热量生成。
IS43DR82560C-3DBLI 主要应用于需要高速缓存存储的设备中，如通信设备中的数据缓冲区、工业控制系统的实时数据存储、网络设备的临时数据存储、嵌入式系统的高速数据处理等。此外，它还可以用于视频处理设备、测试仪器以及高可靠性工业设备中的临时存储需求。
IS43DR82560C-3DBLI的替代型号包括：IS43DR82560C-3BLI、IS43DR82560C-3DBL、IS43DR82560C-3BLL、IS43DR82560C-3DALL
