型号：R1172D411B-TR-FE
　　制造商：Ricoh（理光）
　　产品系列：R1172D
　　封装类型：DFN(PLP)1520-6
　　引脚数：6
　　输出电压：4.1V（固定）
　　输出电压精度：±2%
　　最大输入电压：18V
　　压差电压（典型值）：300mV @ Iout=300mA
　　最大输出电流：500mA
　　静态电流（IQ）：典型值 65μA
　　关断电流：≤1μA
　　电源抑制比（PSRR）：70dB @ 1kHz（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　保护功能：过流保护、热关断保护
　　稳定性要求：支持陶瓷电容输出（通常需≥1μF）
　　调光控制：无
　　安装方式：表面贴装（SMT）

R1172D411B-TR-FE具备多项优异的电气与物理特性，使其在众多低压差稳压器中脱颖而出。首先，其采用CMOS工艺实现极低的静态电流消耗，典型值仅为65μA，这在电池供电设备中极为关键，能够显著延长设备的待机时间。同时，在关断模式下，电流可降至1μA以下，进一步优化了节能表现。
　　其次，该器件拥有高达70dB的电源抑制比（PSRR），在1kHz频率下仍能有效抑制输入端的纹波和噪声，确保输出电压的高度纯净，这对音频放大器、ADC参考电源或无线通信模块尤为重要。此外，它还具备快速的瞬态响应能力，当负载电流发生突变时，输出电压能迅速恢复稳定，避免系统因电压波动而出现误动作或复位现象。
　　再者，R1172D411B-TR-FE支持高达18V的最大输入电压，远高于常规LDO的耐压水平，因此不仅适用于单节或多节锂电池供电系统，还可用于工业控制中的12V供电环境，应用灵活性强。尽管其压差电压在300mA负载下为300mV左右，但已属于低功耗LDO中的优秀水平，可在保证效率的同时维持稳定的输出。
　　该芯片采用DFN1520-6小型封装，尺寸紧凑（约1.5mm x 2.0mm），非常适合空间受限的应用场景，如可穿戴设备、物联网终端和微型传感器节点。封装底部带有散热焊盘，有助于将热量传导至PCB，提升功率承受能力。集成的过流保护和热关断功能可在异常工况下自动切断输出，防止芯片损坏，增强整体系统的鲁棒性。
　　最后，R1172D411B-TR-FE设计上兼容小型陶瓷输出电容（推荐≥1μF），无需使用昂贵或大体积的钽电容，降低了BOM成本并提高了可靠性。整体来看，这款LDO在性能、尺寸、功耗和安全性之间实现了良好平衡，是现代高效电源管理方案的理想选择之一。

R1172D411B-TR-FE因其低噪声、高PSRR、宽输入电压范围和小封装特性，被广泛应用于多种对电源质量要求较高的电子系统中。典型应用包括便携式消费类电子产品，如智能手表、TWS耳机、健康监测设备等，这些设备依赖电池长期运行，且内部集成了敏感的模拟前端（AFE）或射频模块，需要一个干净稳定的电源轨来保障信号完整性和通信质量。
　　在物联网（IoT）领域，该LDO常用于为Wi-Fi、Bluetooth Low Energy（BLE）、Zigbee等无线收发模块提供辅助电源，尤其是在主电源存在较大纹波或电压波动时，R1172D411B-TR-FE可以作为后级稳压器，确保无线芯片工作的稳定性与灵敏度。
　　此外，工业自动化和传感系统也是其重要应用场景。例如，在4-20mA环路供电或远程数据采集装置中，输入电压可能高达12V甚至更高，而某些MCU或ADC仅需4.1V左右的低压供电，此时该LDO能够安全地完成降压转换任务，并抵御现场电磁干扰带来的电源扰动。
　　在医疗电子设备中，如手持式诊断仪或脉搏血氧仪，电源噪声直接影响测量精度，因此采用R1172D411B-TR-FE可有效抑制电源噪声，提高检测结果的准确性。
　　同时，该器件也适用于汽车电子中的非动力域系统，如车载信息娱乐系统的辅助电源管理、车内传感器供电等，能够在较宽的温度范围内可靠工作，满足车规级应用的部分需求。总之，凡是需要从较高电压源获取稳定、低噪声、低功耗4.1V电源的场合，R1172D411B-TR-FE都是一个极具竞争力的选择。

R1172D411A-TR-FE
　　R1172N411B-TR-FE
　　XC6223B411MR-G
　　RT9193-41GB