TT16G2GAHC 时间：2025/9/16 16:16:10 阅读：36

TT16G2GAHC 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率、高频开关应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备等领域。TT16G2GAHC具备高耐压特性，能够承受较大的电压应力，同时在高电流工作条件下保持良好的热稳定性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：160V
　　最大漏极电流（ID）：20A
　　导通电阻（RDS(on)）：105mΩ @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：35nC
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：HCPAK（表面贴装）
　　功率耗散（PD）：100W

特性

TT16G2GAHC MOSFET采用了东芝先进的U-MOS VIII-H沟槽技术，显著降低了导通电阻并提升了开关效率，从而减少了功率损耗和热量产生。其低RDS(on)特性使得该器件在大电流应用中表现出色，降低了导通损耗，提高了整体系统效率。
　　此外，该MOSFET具有出色的热管理性能，能够在高温环境下稳定运行。其HCPAK封装形式提供了良好的散热能力，并支持表面贴装工艺，适用于高密度PCB布局。该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常在4.5V至20V之间，兼容多种驱动电路设计。
　　TT16G2GAHC还具备优异的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态电压冲击下保持稳定工作，提高了系统的可靠性和耐用性。该器件在高频开关应用中表现出良好的动态性能，减少了开关损耗，适用于诸如同步整流、PWM控制、电机驱动等应用场景。

应用

TT16G2GAHC广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于：工业电源、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动汽车充电系统、电机控制模块、LED照明驱动电路以及各种高效率电源管理装置。其优异的开关特性和热稳定性也使其成为新能源、智能电网和自动化控制领域的理想选择。