IS43DR16320B-37CBLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高性能、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于DRAM产品系列,具有16M x 32 x 4 Banks的存储结构,适用于需要高速数据存储和访问的应用场景。IS43DR16320B-37CBLI 采用CMOS工艺制造,支持同步操作,并具备良好的稳定性和可靠性。
容量:16M x 32 x 4 Banks
电压:2.3V - 3.6V
访问时间:3.7ns
封装:165-TQFP
工作温度:-40°C ~ 85°C
接口类型:并行
时钟频率:最大166MHz
数据速率:333MHz
封装类型:表面贴装
IS43DR16320B-37CBLI 具备高速访问能力,其最大时钟频率可达166MHz,数据传输速率可达333MHz,适合需要高性能存储的应用场景。该芯片采用低功耗CMOS工艺,在保持高性能的同时有效降低功耗。此外,其异步控制信号允许灵活的时序调整,适用于多种系统设计需求。该DRAM芯片还支持自刷新模式,可在系统待机状态下保持数据完整性,从而减少系统功耗并延长电池寿命。
该芯片的存储结构为16M x 32 x 4 Banks,提供较大的数据存储容量,适用于图形处理、网络设备、工业控制系统等对存储带宽要求较高的应用。其165-TQFP封装形式支持表面贴装工艺,便于在高密度PCB设计中使用。此外,IS43DR16320B-37CBLI 的宽工作温度范围(-40°C 至 85°C)使其适用于工业级环境,确保在严苛条件下仍能稳定运行。
IS43DR16320B-37CBLI 主要应用于需要高性能存储的电子设备,如工业控制系统的缓存存储、网络设备的数据缓冲、嵌入式系统的高速存储扩展、视频处理设备的帧缓存等。由于其高速存取能力和低功耗特性,该芯片也适用于便携式设备和电池供电系统。此外,该芯片还可用于图像处理、通信设备、测试仪器和自动化设备等对存储性能要求较高的领域。
IS48C16320B-37CBLI