时间：2025/9/1 9:24:44
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IS43DR16320B-37CBLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高性能、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于DRAM产品系列，具有16M x 32 x 4 Banks的存储结构，适用于需要高速数据存储和访问的应用场景。IS43DR16320B-37CBLI 采用CMOS工艺制造，支持同步操作，并具备良好的稳定性和可靠性。
容量：16M x 32 x 4 Banks
电压：2.3V - 3.6V
访问时间：3.7ns
封装：165-TQFP
工作温度：-40°C ~ 85°C
接口类型：并行
时钟频率：最大166MHz
数据速率：333MHz
封装类型：表面贴装
IS43DR16320B-37CBLI 具备高速访问能力，其最大时钟频率可达166MHz，数据传输速率可达333MHz，适合需要高性能存储的应用场景。该芯片采用低功耗CMOS工艺，在保持高性能的同时有效降低功耗。此外，其异步控制信号允许灵活的时序调整，适用于多种系统设计需求。该DRAM芯片还支持自刷新模式，可在系统待机状态下保持数据完整性，从而减少系统功耗并延长电池寿命。
该芯片的存储结构为16M x 32 x 4 Banks，提供较大的数据存储容量，适用于图形处理、网络设备、工业控制系统等对存储带宽要求较高的应用。其165-TQFP封装形式支持表面贴装工艺，便于在高密度PCB设计中使用。此外，IS43DR16320B-37CBLI 的宽工作温度范围（-40°C 至 85°C）使其适用于工业级环境，确保在严苛条件下仍能稳定运行。
IS43DR16320B-37CBLI 主要应用于需要高性能存储的电子设备，如工业控制系统的缓存存储、网络设备的数据缓冲、嵌入式系统的高速存储扩展、视频处理设备的帧缓存等。由于其高速存取能力和低功耗特性，该芯片也适用于便携式设备和电池供电系统。此外，该芯片还可用于图像处理、通信设备、测试仪器和自动化设备等对存储性能要求较高的领域。
IS48C16320B-37CBLI
