时间：2025/5/24 12:16:00
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PBSS4021PT是一款基于硅材料的N沟道增强型功率MOSFET。它主要应用于需要高效率和低导通损耗的场景中，例如开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等。该器件具有极低的导通电阻和较高的电流处理能力，同时封装形式适合表面贴装工艺，便于自动化生产和高效散热。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：27A
导通电阻（典型值）：1.9mΩ
栅极电荷：35nC
输入电容：1850pF
总耗散功率：128W
工作结温范围：-55℃至+175℃
PBSS4021PT采用了先进的制造工艺以降低导通电阻和开关损耗。
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）使其在大电流应用中表现优异，能够显著减少导通损耗。
2. 较高的连续漏极电流承载能力，适用于高功率密度的设计。
3. 快速开关性能，有助于提升系统的整体效率。
4. 封装形式为TO-263-3L（D2PAK），具备良好的热性能和电气性能。
5. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境下的使用需求。
PBSS4021PT广泛应用于电力电子领域中的多个方面：
1. 开关模式电源（SMPS）的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流管或高频开关元件。
3. 汽车电子系统中的负载开关和电机驱动。
4. 工业设备中的功率控制模块。
5. 大功率LED驱动电路中的关键功率器件。
IRF3205
SI4736DP
FDP18N10
STP18NF10L
