时间：2025/9/1 9:40:35
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IS43DR16160B-37CBLI 是由 Integrated Silicon Solution（ISSI）公司制造的一款高性能异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该SRAM芯片具有较大的存储容量和较快的访问速度，适用于对数据存取速度要求较高的嵌入式系统和工业控制应用。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，以提供高性能和低功耗的运行特性。其封装形式为TSOP（薄型小外形封装），适用于空间受限的电路设计。
容量：256K x 16位
组织结构：256K地址，每个地址16位数据
访问时间：37ns
工作电压：3.3V（典型值）
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装引脚数：54引脚
数据输出类型：三态输出
最大时钟频率：无时钟（异步操作）
最大访问时间：37ns
IS43DR16160B-37CBLI 是一款高性能异步SRAM芯片，具有快速的访问时间（37ns），适用于需要高速数据读写的系统。该芯片采用低功耗CMOS工艺，在保证高速运行的同时，降低了功耗，提高了系统稳定性。其3.3V的工作电压使其兼容现代低电压主控芯片，适用于多种数字电路设计。此外，该芯片具备三态输出功能，可以方便地连接到共享数据总线，避免总线冲突。
这款SRAM芯片采用TSOP封装，具有较小的封装尺寸和较轻的重量，适用于空间受限的便携式设备和嵌入式系统。其工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C）也使其能够在严苛的环境条件下稳定运行，广泛适用于工业自动化、通信设备和网络设备等应用场景。
由于其异步接口设计，IS43DR16160B-37CBLI 无需时钟信号，简化了系统设计，降低了电路复杂度。这使得该芯片在一些需要快速响应和灵活地址访问的系统中具有明显优势。同时，SRAM的非易失性特性确保了数据在断电后不会丢失，适合需要高速缓存和关键数据存储的应用。
IS43DR16160B-37CBLI 通常用于需要高速数据存储和快速访问的场合，如嵌入式系统的高速缓存、工业控制设备的临时数据存储、通信设备中的数据缓冲、网络设备的路由表存储以及各种需要低延迟数据访问的电子系统。其高可靠性与宽温特性也使其适用于恶劣环境下的工业设备。
IS43LV16160A-37CBLI, CY62167E, IDT71V416
