类型: DRAM
　　子类型: LPDDR4
　　容量: 8GB
　　数据速率: 4266 Mbps
　　电压: 1.1V
　　封装类型: FBGA
　　引脚数: 200-pin
　　工作温度范围: -40°C 至 +85°C
　　时钟频率: 2133 MHz
　　数据总线宽度: x32
　　封装尺寸: 10mm x 12mm

H9CKNNNDATMRPR-NUHR 芯片具备多项先进的性能特征，首先是其 LPDDR4 技术，使其在数据传输速度上达到 4266 Mbps，显著提升了数据处理能力，适用于高带宽需求的应用场景。
　　其次，该芯片采用了低电压设计（1.1V），有效降低了功耗，延长了移动设备的电池续航时间，并减少了热量的产生，提高了设备的稳定性。
　　该芯片采用 200-pin FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装，具有优良的散热性能和紧凑的尺寸，适合空间受限的设备设计。
　　此外，H9CKNNNDATMRPR-NUHR 支持多种工作模式，包括自刷新模式、深度掉电模式等，可根据不同应用场景动态调整功耗，提高能效比。
　　其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适应广泛的工业环境，包括汽车电子、工业控制、通信设备等高温或低温应用场景。
　　最后，该芯片具备良好的兼容性和稳定性，能够与多种主控芯片配合使用，适用于多种嵌入式系统平台。

H9CKNNNDATMRPR-NUHR 广泛应用于需要高性能和低功耗内存的设备中。典型应用包括智能手机和平板电脑，用于提升设备的多任务处理能力和图形性能。
　　在嵌入式系统和物联网（IoT）设备中，该芯片可作为主存储器使用，支持复杂操作系统和应用程序的运行。
　　同时，它也适用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统（IVI）、先进驾驶辅助系统（ADAS）等，满足高温环境下对内存性能的严苛要求。
　　此外，该芯片还可用于网络设备、通信模块、工业控制设备以及高性能计算模块中，为这些设备提供稳定可靠的大容量内存支持。

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