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IRF3717TR 发布时间 时间:2025/5/22 23:21:57 查看 阅读:1

IRF3717TR是英飞凌(Infineon)公司生产的N沟道功率MOSFET,采用TO-263-3L封装形式。该器件主要用于高效能开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等应用场合。其低导通电阻和高电流处理能力使其非常适合于要求高性能和低功耗的设计。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:56A
  导通电阻(典型值,Vgs=10V):2.8mΩ
  栅极电荷(典型值):59nC
  总热阻(结到环境):45℃/W
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

IRF3717TR具有非常低的导通电阻,有助于降低传导损耗并提高整体效率。
  其大电流承载能力和快速开关速度使得它在高频开关应用中表现出色。
  器件采用了先进的半导体制造工艺,确保了良好的稳定性和可靠性。
  此外,该MOSFET具备优异的雪崩耐量性能,增强了在异常情况下的鲁棒性。
  由于其出色的电气性能和耐用性,IRF3717TR适用于各种工业和消费类电子设备。

应用

该芯片广泛应用于计算机及外设中的电源管理模块。
  适合用作电信设备内的功率变换电路元件。
  还可以作为电机控制器的一部分用于电动车窗、座椅调节等汽车电子系统。
  在LED照明领域,它能够有效地控制电流以保证灯光亮度一致性。
  同时,在不间断电源(UPS)和其他电池充电解决方案中也有重要用途。

替代型号

IRF3717S,
  IRF3717,
  INF3717,
  STP56NF06L

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IRF3717TR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.4 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.45V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs33nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2890pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)