NDSH50120C 时间：2025/9/3 20:26:41 阅读：5

NDSH50120C是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高性能功率MOSFET器件，广泛应用于电源管理和功率转换系统中。该器件采用先进的Trench沟道技术，提供了较低的导通电阻（Rds(on)）和更高的效率，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等多种应用场景。NDSH50120C为N沟道增强型MOSFET，采用常见的TO-252（DPAK）封装形式，便于安装和散热。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：120V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：50A
　　导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=10V时，最大为0.018Ω
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

NDSH50120C采用先进的Trench沟道技术，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。其120V的漏源电压额定值使其能够适用于多种中高压功率转换应用。该器件的栅极设计支持快速开关操作，从而减少了开关损耗，提高了动态性能。此外，NDSH50120C具备优异的热稳定性，能够在高功率密度环境下保持良好的散热能力，从而延长器件寿命并提高系统可靠性。
　　该MOSFET的封装形式为TO-252（DPAK），具有良好的机械稳定性和热管理性能，适用于表面贴装工艺，便于集成在PCB板上。其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至12V驱动电压，与多种驱动电路兼容。NDSH50120C还具备出色的雪崩击穿能力和过载承受能力，能够在极端工况下保持稳定运行。

应用

NDSH50120C广泛应用于各类电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统、负载开关控制、电机驱动电路以及工业自动化设备。在电动汽车和可再生能源系统中，该器件也常用于功率逆变器和能量回收电路中。由于其高效率和高可靠性的特点，NDSH50120C也适用于需要高功率密度和高热稳定性的嵌入式系统设计。