IS42VM16320E-6BLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高性能、低功耗的32Mbit(1M x 32)移动式动态随机存取存储器(mDRAM)。该器件专为便携式和低功耗应用设计,结合了DRAM的高密度和SRAM的易用性,适用于需要高效能和低功耗的系统,如手持设备、便携式通信设备和嵌入式系统。
容量:32Mbit
组织方式:1M x 32
电源电压:2.3V - 3.6V
访问时间:6ns
封装类型:TSOP
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
IS42VM16320E-6BLI 的核心特性之一是其自动刷新和自刷新模式,能够在保持数据完整性的同时降低功耗。该芯片采用CMOS工艺制造,具备高速访问能力,同时支持低功耗待机模式,非常适合电池供电设备使用。
其TSOP封装设计有助于减小PCB面积,提高系统的集成度和可靠性。此外,IS42VM16320E-6BLI 还支持多种操作模式,包括页模式、突发模式和睡眠模式,使用户可以根据应用需求灵活调整性能和功耗之间的平衡。
该器件的I/O接口兼容3.3V和5V系统,便于与多种主控芯片连接,简化了系统设计。其内置的刷新控制电路减少了外部控制器的负担,提高了系统的稳定性。
IS42VM16320E-6BLI 主要用于需要高速缓存和低功耗的便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、GPS设备、数码相机以及工业控制和通信设备。在嵌入式视觉系统和图像处理模块中,该芯片可作为图像缓存或帧缓冲器使用,提供高效的临时数据存储能力。此外,它也广泛应用于网络设备和汽车电子系统中,作为高性能、低功耗的存储解决方案。
IS42VM16320B-6BLI, IS42VM16320C-6BLI, IS42VM16320D-6BLI