时间：2025/5/10 12:40:34
阅读：13
TF25NP03M是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力的特点，适合应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。其额定电压为30V，适用于需要高效能和低损耗的电路设计。
这款MOSFET利用先进的半导体制造工艺，在保持高可靠性和稳定性的前提下，实现了更低的功耗和更高的效率。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：25A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：45nC
总电容：1170pF
工作结温范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低导通损耗，提升系统效率。
2. 高雪崩耐量能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
3. 快速开关性能，有助于减少开关损耗。
4. 小型化封装设计，便于安装和散热管理。
5. 符合RoHS标准，环保且安全使用。
6. 具备出色的热稳定性，在高温环境下依然能保持优异的性能。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
6. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
IRFZ44N
STP25NF03L
FDP020N03L
