时间：2025/9/1 10:02:35
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IS42S16800E-6TLI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM），属于同步DRAM（SDRAM）类别。这款存储器芯片采用先进的CMOS技术制造，具有低功耗、高速和高可靠性等特点。IS42S16800E-6TLI的容量为256Mbit，组织结构为16M x16，采用同步接口，使其适用于需要高性能存储解决方案的各种应用。
类型：同步DRAM
容量：256Mbit
组织结构：16M x 16
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns（最大）
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C
引脚数：54
接口类型：LVTTL
时钟频率：166MHz
数据速率：166MHz
IS42S16800E-6TLI具有多项关键特性，使其适用于广泛的高性能应用。首先，其同步接口设计确保了与系统时钟的精确同步，从而优化了数据传输效率和整体系统性能。其次，该芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够在保持数据完整性的同时降低功耗。此外，该设备还支持突发访问模式，允许在单个操作中快速访问连续的数据块，从而进一步提高了数据传输速度。
该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，具有广泛的电源适应能力，适合在多种电源环境下使用。同时，其低功耗特性使其非常适合便携式或电池供电设备的应用需求。封装形式为TSOP（薄型小外形封装），有助于在空间受限的设计中实现高密度的PCB布局。
IS42S16800E-6TLI的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境条件下的稳定运行。该芯片广泛用于通信设备、网络设备、工业控制系统、消费类电子产品以及嵌入式系统等领域。
IS42S16800E-6TLI适用于多种需要高速存储器的应用场景。其主要应用包括但不限于网络设备（如路由器和交换机）、通信设备（如基站和调制解调器）、工业控制系统、视频处理设备、嵌入式系统、消费类电子产品（如高端智能设备和显示设备）等。由于其高速性能和低功耗特性，该芯片也适用于需要大量数据缓存和快速访问的场合，例如图像处理和数据缓冲器。
IS42S16800F-6TLI, IS45S16800E-6TLI
