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IS42S16800E-6TLI 发布时间 时间:2025/9/1 10:02:35 查看 阅读:5

IS42S16800E-6TLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速CMOS动态随机存取存储器(DRAM),属于同步DRAM(SDRAM)类别。这款存储器芯片采用先进的CMOS技术制造,具有低功耗、高速和高可靠性等特点。IS42S16800E-6TLI的容量为256Mbit,组织结构为16M x16,采用同步接口,使其适用于需要高性能存储解决方案的各种应用。

参数

类型:同步DRAM
  容量:256Mbit
  组织结构:16M x 16
  电源电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:5.4ns(最大)
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  引脚数:54
  接口类型:LVTTL
  时钟频率:166MHz
  数据速率:166MHz

特性

IS42S16800E-6TLI具有多项关键特性,使其适用于广泛的高性能应用。首先,其同步接口设计确保了与系统时钟的精确同步,从而优化了数据传输效率和整体系统性能。其次,该芯片支持自动刷新和自刷新模式,能够在保持数据完整性的同时降低功耗。此外,该设备还支持突发访问模式,允许在单个操作中快速访问连续的数据块,从而进一步提高了数据传输速度。
  该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V,具有广泛的电源适应能力,适合在多种电源环境下使用。同时,其低功耗特性使其非常适合便携式或电池供电设备的应用需求。封装形式为TSOP(薄型小外形封装),有助于在空间受限的设计中实现高密度的PCB布局。
  IS42S16800E-6TLI的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境条件下的稳定运行。该芯片广泛用于通信设备、网络设备、工业控制系统、消费类电子产品以及嵌入式系统等领域。

应用

IS42S16800E-6TLI适用于多种需要高速存储器的应用场景。其主要应用包括但不限于网络设备(如路由器和交换机)、通信设备(如基站和调制解调器)、工业控制系统、视频处理设备、嵌入式系统、消费类电子产品(如高端智能设备和显示设备)等。由于其高速性能和低功耗特性,该芯片也适用于需要大量数据缓存和快速访问的场合,例如图像处理和数据缓冲器。

替代型号

IS42S16800F-6TLI, IS45S16800E-6TLI

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IS42S16800E-6TLI参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 数据总线宽度8 bit
  • 封装 / 箱体TSSOP-54
  • 存储容量128 Mbit
  • 最大时钟频率166 MHz
  • 访问时间6.5 ns, 5.4 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作电流150 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 封装Tray
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量108