IS42S16800E-6TLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速CMOS动态随机存取存储器(DRAM),属于同步DRAM(SDRAM)类别。这款存储器芯片采用先进的CMOS技术制造,具有低功耗、高速和高可靠性等特点。IS42S16800E-6TLI的容量为256Mbit,组织结构为16M x16,采用同步接口,使其适用于需要高性能存储解决方案的各种应用。
类型:同步DRAM
容量:256Mbit
组织结构:16M x 16
电源电压:2.3V - 3.6V
访问时间:5.4ns(最大)
封装类型:TSOP
工作温度范围:-40°C至+85°C
引脚数:54
接口类型:LVTTL
时钟频率:166MHz
数据速率:166MHz
IS42S16800E-6TLI具有多项关键特性,使其适用于广泛的高性能应用。首先,其同步接口设计确保了与系统时钟的精确同步,从而优化了数据传输效率和整体系统性能。其次,该芯片支持自动刷新和自刷新模式,能够在保持数据完整性的同时降低功耗。此外,该设备还支持突发访问模式,允许在单个操作中快速访问连续的数据块,从而进一步提高了数据传输速度。
该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V,具有广泛的电源适应能力,适合在多种电源环境下使用。同时,其低功耗特性使其非常适合便携式或电池供电设备的应用需求。封装形式为TSOP(薄型小外形封装),有助于在空间受限的设计中实现高密度的PCB布局。
IS42S16800E-6TLI的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境条件下的稳定运行。该芯片广泛用于通信设备、网络设备、工业控制系统、消费类电子产品以及嵌入式系统等领域。
IS42S16800E-6TLI适用于多种需要高速存储器的应用场景。其主要应用包括但不限于网络设备(如路由器和交换机)、通信设备(如基站和调制解调器)、工业控制系统、视频处理设备、嵌入式系统、消费类电子产品(如高端智能设备和显示设备)等。由于其高速性能和低功耗特性,该芯片也适用于需要大量数据缓存和快速访问的场合,例如图像处理和数据缓冲器。
IS42S16800F-6TLI, IS45S16800E-6TLI