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IS42S16400F-7BL 发布时间 时间:2025/9/1 9:37:25 查看 阅读:8

IS42S16400F-7BL是一款由Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的高速CMOS动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于同步DRAM(Synchronous DRAM, SDRAM)类别。该器件具有16MB的存储容量,组织为1M x 16位。该芯片采用标准的TSOP封装,适用于需要中等容量高速存储器的嵌入式系统和工业控制设备。

参数

容量:16MB
  组织结构:1M x 16位
  电压:3.3V
  访问时间:7.5ns
  封装类型:TSOP
  工作温度:工业级(-40°C至+85°C)

特性

IS42S16400F-7BL具有低功耗设计,适用于电池供电设备和便携式电子产品。其同步接口提高了数据传输效率,适用于高速缓存和数据缓冲应用。该芯片还具有自动刷新和自刷新功能,以确保数据的稳定性和完整性。此外,IS42S16400F-7BL具备良好的抗干扰能力,能够在复杂的电磁环境中稳定工作。
  IS42S16400F-7BL的同步接口支持突发模式操作,提高了数据传输速率和系统性能。其内部时钟同步机制确保了与主控制器之间的数据传输时序精确。此外,该芯片支持多种工作模式,包括模式寄存器设置、预充电和突发长度控制,提供了灵活的配置选项以适应不同的系统需求。
  在可靠性方面,IS42S16400F-7BL采用高质量的制造工艺和材料,确保了其在各种环境条件下的长期稳定运行。其封装设计有助于散热,适用于高温环境下运行的工业和通信设备。

应用

IS42S16400F-7BL广泛应用于工业控制设备、网络通信设备、嵌入式系统、测试仪器和消费类电子产品。它适用于需要中等容量高速存储器的场合,如图像处理、数据缓冲和缓存存储。

替代型号

IS42S16400G-7T
  IS42S16400F-6BL
  IS42S16400F-7TL

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IS42S16400F-7BL参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 数据总线宽度16 bit
  • 封装 / 箱体TFBGA-54
  • 存储容量64 Mbit
  • 最大时钟频率143 MHz
  • 访问时间6 ns, 5.4 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作电流100 mA
  • 最大工作温度+ 70 C
  • 封装Tray
  • 最小工作温度0 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量348