GA1206A270FXLBP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够有效降低功耗并提高系统效率。
它采用先进的制造工艺,在保证可靠性的同时优化了成本结构,适合多种工业和消费类电子应用。
类型:N-Channel MOSFET
漏源极电压(Vds):60V
连续漏极电流(Id):40A
导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ
栅极电荷(Qg):45nC
工作温度范围:-55℃ to +175℃
封装形式:TO-247
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著减少传导损耗。
2. 高速开关能力,适合高频应用。
3. 内置反向二极管,支持续流保护功能。
4. 强大的雪崩能力和鲁棒性,确保在严苛环境下的可靠运行。
5. 改进的热设计,有助于散热性能提升。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC/DC 转换器和升降压模块。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统(BMS)中的充放电保护电路。
6. LED 照明驱动器中的功率级控制元件。
IRFZ44N
STP40NF06
FDPF5820