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IS42S16320F-7BL-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:20:04 查看 阅读:34

IS42S16320F-7BL-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)制造的高速CMOS动态随机存取存储器(DRAM),属于异步DRAM芯片的一种。该器件具有16M x 32的存储结构,总容量为512MB,适用于需要高性能和高密度存储的应用场景。这款DRAM采用FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装,适合嵌入式系统、工业控制设备和通信设备等应用。IS42S16320F-7BL-TR的工作电压为2.3V至3.6V,具有宽电压适应性,能够在不同的系统环境中稳定运行。

参数

容量:512MB
  组织结构:16M x 32
  封装类型:FBGA
  引脚数量:54
  工作电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:7ns
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)

特性

IS42S16320F-7BL-TR具有低功耗设计,在待机模式下消耗的电流非常小,适合电池供电或对功耗敏感的应用。该芯片的高速访问时间(7ns)使其能够满足高性能系统的需求,确保数据的快速读写。此外,该DRAM芯片采用CMOS工艺制造,具有良好的抗干扰性能和稳定性。
  该器件支持异步操作模式,允许其与各种主控芯片或控制器配合使用,无需严格的时钟同步控制,简化了系统设计。其宽电压范围(2.3V至3.6V)使得该芯片可以适配多种电源管理系统,增强了设计的灵活性。
  IS42S16320F-7BL-TR的FBGA封装形式不仅减小了PCB占用空间,还提高了封装密度和热传导性能,适用于紧凑型和高密度电子设备。此外,该芯片符合RoHS环保标准,无铅封装,符合现代电子产品对环保的要求。

应用

IS42S16320F-7BL-TR广泛应用于需要大容量高速缓存的系统中,如工业控制计算机、嵌入式系统、通信模块、网络设备、视频采集和处理设备等。该芯片也常用于图像处理、数据缓存、高速缓冲存储器等场景,适用于需要快速访问大量数据的场合。

替代型号

IS42S16320F-7TL,IS42S16400F-7T,IS42S16320B-7T

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IS42S16320F-7BL-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥83.11623卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织32M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率143 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间5.4 ns
  • 电压 - 供电3V ~ 3.6V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳54-TFBGA
  • 供应商器件封装54-TW-BGA(8x13)