时间：2025/6/27 15:06:44
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SDP117A2MD 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高性能功率转换应用而设计。该器件采用先进的技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和高可靠性，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及负载开关等多种应用场景。
该MOSFET封装在符合工业标准的PowerFLAT 5x6封装中，具备良好的热管理和电气性能。其额定电压和电流参数使其能够适应多种中高功率电子系统的需求。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：100V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：14A（在Tc=25°C）
脉冲漏极电流(IDM)：56A
RDS(on)（最大值）：8.5mΩ @ VGS = 10V
开启阈值电压(VGS(th))：2.3V ~ 3.5V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：PowerFLAT 5x6
SDP117A2MD 具备多项优异特性，使其在功率电子设计中表现出色。首先，其低导通电阻 RDS(on) 显著降低了导通损耗，提高了系统的整体能效。其次，该器件支持较高的栅极电压（±20V），增强了开关稳定性并降低了过压损坏的风险。
此外，SDP117A2MD 的快速开关能力减少了开关过程中的能量损耗，使其适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC降压/升压变换器等。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）确保了在严苛环境下的稳定运行，提升了器件的可靠性和使用寿命。
该MOSFET还具备较强的短时过载能力，在脉冲电流条件下仍能保持良好性能，适合用于电机驱动和电感性负载切换等场景。
SDP117A2MD 常见于各种电力电子设备中，典型应用包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC转换器与同步整流电路
- 负载开关与电池管理系统
- 电机控制与H桥驱动
- 工业自动化控制系统
- 汽车电子与新能源车辆中的功率模块
STL11N10F7, STD11NM55N0F7, IRFZ44N
