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IS42S16320D-6BLI 发布时间 时间:2025/9/1 14:53:35 查看 阅读:6

IS42S16320D-6BLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于同步动态RAM(SDRAM)类别,具有16M x 32的组织结构,总容量为512Mb。这款芯片采用CMOS技术制造,适用于需要高速数据存储和访问的应用场景。

参数

类型:DRAM
  容量:512Mb
  组织结构:16M x 32
  电源电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  最大频率:166MHz
  访问时间:5.4ns
  数据宽度:32位
  刷新周期:64ms

特性

IS42S16320D-6BLI具有高速访问时间和低功耗的特点,适合在高性能嵌入式系统和通信设备中使用。该芯片采用同步接口设计,能够与高速控制器无缝连接,提高数据传输效率。其宽电压范围(2.3V至3.6V)设计使其适用于多种电源管理方案。此外,IS42S16320D-6BLI具有自动刷新和自刷新模式,确保数据在不连续访问时的完整性,同时降低功耗。其封装采用TSOP形式,便于PCB布局并提高散热性能。

应用

IS42S16320D-6BLI广泛应用于需要高速数据存储和处理的电子设备中,例如通信设备、工业控制设备、网络设备和嵌入式系统。其高速特性和低功耗设计使其在需要频繁读写和高速缓存的应用中表现出色。

替代型号

IS48C16320D-6BLI, CY7C1380D-5AAXI, IDT71V416S161BHI6A

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IS42S16320D-6BLI参数

  • 制造商ISSI
  • 数据总线宽度16 bit
  • 组织8 Mbit x 16
  • 封装 / 箱体BGA-54
  • 存储容量512 MB
  • 最大时钟频率167 MHz
  • 访问时间6 ns
  • Supply Voltage - Max3 V
  • Supply Voltage - Min3.6 V
  • 最大工作电流160 mA
  • 最大工作温度+ 70 C
  • 封装Tray
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量240