型号：CY7C421-25JC
　　制造商：Cypress Semiconductor (Infineon)
　　存储类型：异步SRAM
　　组织结构：2K x 9
　　容量：18 Kbits
　　访问时间：25ns
　　工作电压：5V ± 10%
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　封装类型：PLCC-32
　　数据宽度：9位
　　功耗（典型值）：120mW（运行模式）
　　待机功耗：≤ 10mW
　　三态输出：支持
　　控制信号：CE#, OE#, WE#
　　地址输入：A0-A10
　　数据输入/输出：D0-D8

CY7C421-25JC具备多项关键特性，使其在高性能异步SRAM市场中占据重要地位。首先，其25ns的快速访问时间确保了在高速数据处理环境下的响应能力，满足大多数实时系统的延迟要求。该器件采用CMOS工艺制造，兼具高速度与低功耗优势，尤其在待机模式下通过片选（CE#）控制实现自动进入低功耗状态，显著降低整体系统能耗，适用于便携式或能源敏感型设备。
　　其次，CY7C421-25JC的2K x 9组织结构提供了9位数据宽度，其中8位用于数据传输，第9位可用于奇偶校验或ECC功能，增强了数据传输的可靠性和系统的容错能力。这一特性在通信接口、数据缓冲和冗余校验应用中尤为重要，能有效防止因单比特错误导致的系统故障，提高长期运行稳定性。
　　再者，该SRAM支持全静态操作，意味着只要电源保持稳定，数据即可无限期保留而无需刷新机制，这不仅减少了控制器负担，也避免了动态RAM常见的刷新中断问题。所有输入端均具备滞后作用的施密特触发器设计，提升了抗噪声能力，增强了在工业环境中电磁干扰较强情况下的信号完整性。
　　此外，CY7C421-25JC采用PLCC-32小型化表面贴装封装，便于PCB布局和自动化装配，同时具备良好的散热性能和机械稳定性。其TTL电平兼容性使得它可以无缝集成到基于微处理器或FPGA的传统逻辑系统中，无需额外电平转换电路。所有控制信号如片选（CE#）、写使能（WE#）和输出使能（OE#）均支持三态控制，允许多个存储器共享同一数据总线，构建更复杂的内存架构。
　　最后，该器件经过严格的质量测试，符合工业级工作温度范围（0°C至+70°C），并具备高可靠性和长生命周期支持，适合用于长期部署的关键任务系统。虽然目前已有更先进的低电压、高速同步SRAM替代方案，但CY7C421-25JC凭借其成熟的设计、广泛的可用性和出色的稳定性，仍被广泛应用于各类 legacy 设备维护与升级项目中。

CY7C421-25JC主要应用于需要高可靠性、快速访问和数据完整性的电子系统中。其典型应用场景包括通信基础设施中的网络路由器、交换机和基站设备，作为高速缓存或帧缓冲存储器使用，用于临时存储数据包或信令信息，确保数据流的连续性和低延迟处理。由于其9位数据宽度支持奇偶校验，非常适合用于需要错误检测机制的数据通路设计，例如T1/E1通信接口、PCM（脉冲编码调制）系统和数字交叉连接设备。
　　在工业控制领域，该芯片常用于PLC（可编程逻辑控制器）、远程终端单元（RTU）和运动控制系统中，作为CPU与外设之间的中间缓存，提升指令执行效率和I/O响应速度。其全静态SRAM架构无需刷新，降低了系统复杂性，特别适合资源受限或实时性要求高的嵌入式控制器。
　　此外，CY7C421-25JC也被广泛应用于测试测量仪器、雷达信号处理模块和航空电子设备中，承担临时数据存储、FIFO缓冲或查找表功能。在这些高端应用中，器件的稳定性和抗干扰能力至关重要，而该芯片的CMOS工艺与施密特触发输入设计正好满足此类需求。
　　由于其引脚排列和时序与标准SRAM兼容，CY7C421-25JC还可用于老式计算机系统、工控机主板或专用硬件板卡的维修与替换，是许多停产设备维持运行的重要元器件之一。尽管现代设计更多转向低压同步SRAM或DDR技术，但在某些特定领域，尤其是对成本、功耗和稳定性综合考量的场景下，CY7C421-25JC依然具有不可替代的价值。

CY7C421-25JI
　　CY7C421-35JC
　　IDT71V421S25PFGI
　　IS61LV2569AL-25T