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F8H3N 发布时间 时间:2025/6/5 17:23:05 查看 阅读:9

F8H3N是一款高性能的MOSFET晶体管,广泛应用于功率转换、电机驱动以及开关电源等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低功耗。
  该型号属于N沟道增强型MOSFET,其设计旨在满足现代电子设备对高效能和可靠性的严格要求。通过优化的芯片结构和封装技术,F8H3N能够在高温环境下保持稳定的性能表现。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:20A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关时间:ton=12ns, toff=25ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

F8H3N具备出色的电气特性和环境适应能力。
  1. 低导通电阻(Rds(on))使其在大电流应用中表现出较低的功耗。
  2. 高速开关性能支持高频操作,适合于开关电源和DC-DC转换器。
  3. 内置ESD保护功能增强了器件的抗静电能力,提高了可靠性。
  4. 封装形式为TO-220,便于散热管理,同时简化了PCB布局设计。
  5. 耐热性能优秀,能够在极端温度条件下长时间稳定运行。

应用

F8H3N适用于多种电力电子场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的功率开关,用于提升转换效率。
  3. 电机驱动电路中的功率级元件,用于控制电机转速和方向。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关,实现快速充放电切换。
  5. 工业自动化设备中的功率调节模块,确保设备运行稳定。

替代型号

F8H3P, IRF840, STP20NF06

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