时间：2025/9/1 9:23:44
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IS42S16160G-7BLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的16M x16位的CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该器件采用同步接口设计，工作电压为2.3V至3.6V，适用于需要高性能和低功耗的应用场景。IS42S16160G-7BLI-TR采用54引脚TSOP封装，适合用于工业控制、网络设备、通信设备和嵌入式系统等应用。
容量：16M x 16位
电压：2.3V - 3.6V
封装：54-TSOP
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
访问时间：7.5ns
工作模式：异步/同步
封装尺寸：18.4mm x 12.0mm
引脚数：54
IS42S16160G-7BLI-TR具备高速访问能力，其访问时间仅为7.5ns，确保了系统运行的高效性。该器件采用低功耗CMOS技术，在保持高性能的同时显著降低功耗，适合对功耗敏感的设计。其宽电压范围设计（2.3V至3.6V）提供了更大的灵活性，能够兼容多种电源系统。该DRAM芯片支持异步和同步两种工作模式，用户可以根据系统需求选择合适的操作模式，从而优化性能与功耗之间的平衡。
此外，IS42S16160G-7BLI-TR具有较高的集成度，其16M x16位的存储结构可提供256MB的存储容量，适用于需要大容量存储的应用场景。其54-TSOP封装形式不仅体积小巧，还便于PCB布局和焊接，适用于空间受限的设备。该芯片的工业级温度范围（-40°C至+85°C）确保其在各种恶劣环境条件下仍能稳定工作。
IS42S16160G-7BLI-TR广泛应用于需要高性能存储解决方案的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络设备、视频采集与处理系统以及消费类电子产品中。由于其高速存取、低功耗和宽电压特性，该芯片特别适合用于图像缓存、数据缓冲、实时控制和高速数据存储等场景。
IS42S16160F-7TLLI-TR, IS42S16100G-7BLI-TR, CY7C1041GN30-7ZSXI
